[发明专利]静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法有效
| 申请号： | 200710126501.4 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101290807A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黄艳;黄威森;邵芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C29/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，针对沟道宽度或/和沟道长度与设计尺寸不同的MOS管，至少挑选两个；测量所挑选的MOS管的阈值电压；根据所测量的MOS管的阈值电压建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下相应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随阈值电压变化的关系；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下，不同沟道宽度或沟道长度的MOS管对应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随沟道宽度或沟道长度变化的关系。本发明静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法结果更精确。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 电路 稳定性 仿真 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，包括下列步骤，针对沟道宽度或/和沟道长度与设计尺寸不同的MOS管，至少挑选两个；测量所挑选的MOS管的阈值电压；根据所测量的MOS管的阈值电压建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下相应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随阈值电压变化的关系；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下，不同沟道宽度或沟道长度的MOS管对应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随沟道宽度或沟道长度变化的关系。
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