[发明专利]静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，包括下列步骤，

针对沟道宽度或/和沟道长度与设计尺寸不同的MOS管，至少挑选两个；

测量所挑选的MOS管的阈值电压；

根据所测量的MOS管的阈值电压建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型；

根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下相应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随阈值电压变化的关系；

根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下，不同沟道宽度或沟道长度的MOS管对应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随沟道宽度或沟道长度变化的关系，

所述建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型的步骤进一步包括，

判断在现有MOS管模型的四种极限情况下的阈值电压仿真值为顶点构建的四边形能否覆盖阈值电压分布，所述四种极限情况包括慢NMOS慢PMOS、快NMOS快PMOS、慢NMOS快PMOS和快NMOS慢PMOS；

如果覆盖阈值电压分布，则以所述模型作为静态随机存取存储器电路仿真的模型；

如果未覆盖阈值电压分布，则调整模型中的相应参数直到模型的四种极限情况下的阈值电压仿真值为顶点构建的四边形能够覆盖阈值电压分布。

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，所述的阈值电压是通过测量工作在线性区的MOS管得到的。

3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，所述模型中的相应参数包括描述源/漏厚度的参数、描述氧化层厚度的参数以及描述源/漏面积受压力影响的参数。

4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，所述静态随机存取存储器电路的稳定性参数包括静态噪声容限、NMOS管和PMOS管的饱和电流比值，NMOS管和PMOS管的阈值电压和饱和电流以及静态随机存取存储器电路的漏电流。

5.如权利要求4所述的静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，分别在静态随机存取存储器电路中构成CMOS锁存器的两个反相器的输入端加入相同的输入电压，并且仿真得到相应的输出电压来得到所述的静态噪声容限。

6.一种静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，包括下列步骤，

针对沟道宽度或/和沟道长度与设计尺寸不同的MOS管，至少挑选两个；

测量所挑选的MOS管的阈值电压；

根据所测量的MOS管的阈值电压建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型；

根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下，不同沟道宽度或沟道长度的MOS管对应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随沟道宽度或沟道长度变化的关系，

所述建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型的步骤进一步包括，

判断在现有MOS管模型的四种极限情况下的阈值电压仿真值为顶点构建的四边形能否覆盖阈值电压分布，所述四种极限情况包括慢NMOS慢PMOS、快NMOS快PMOS、慢NMOS快PMOS和快NMOS慢PMOS；

如果覆盖阈值电压分布，则以所述模型作为静态随机存取存储器电路仿真的模型；

如果未覆盖阈值电压分布，则调整模型中的相应参数直到模型的四种极限情况下的阈值电压仿真值为顶点构建的四边形能够覆盖阈值电压分布。

7.如权利要求6所述的静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，所述的阈值电压是通过测量工作在线性区的MOS管得到的。

8.如权利要求6所述的静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，所述模型中的相应参数包括描述源/漏厚度的参数、描述氧化层厚度的参数以及描述源/漏面积受压力影响的参数。

9.如权利要求6所述的静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，其特征在于，所述静态随机存取存储器电路的稳定性参数包括静态噪声容限、NMOS管和PMOS管的饱和电流比值，NMOS管和PMOS管的阈值电压和饱和电流以及静态随机存取存储器电路的漏电流。