[发明专利]具有优良耐折性的电路基板及半导体装置无效
| 申请号： | 200710126054.2 | 申请日： | 2007-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101102639A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 山县诚;栗原宏明;安井直哉;岩田纪明 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有良好耐折性的电路基板，在绝缘薄膜表面上形成含有铜的布线图，该布线图上形成有绝缘树脂涂敷层并露出端子部分，所述电路基板，具有由下述(A)、(B)、(C)及(D)所构成的组中所选的任一种构造：(A)使用EBSP测定的铜粒子平均结晶粒子径在0.65～0.85μm范围内、小于0.1μm的铜结晶粒子所占容积比率小于等于1％，并且在引线的长度方向取向[100]的铜结晶粒子的含量在10～20容积％的范围内；(B)上述绝缘薄膜由抗拉强度在450～600MPa范围内，杨氏模量在8500～9500MPa范围内的聚酰亚胺薄膜形成；(C)上述绝缘薄膜是厚度10～30μm的聚酰亚胺薄膜；(D)上述绝缘树脂涂敷层具有相对于绝缘薄膜厚度的50～150％的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优良 耐折性 路基 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种具有优良耐折性的电路基板，在绝缘薄膜的至少一个面上形成含有铜的布线图，该布线图上形成有绝缘树脂涂敷层并露出布线图的端子部分，所述电路基板，其特征为，该电路基板具有由下述(A)、(B)、(C)及(D)所构成的组中的至少一种构造：(A)使用反向散射电子衍射分析装置(EBSP)测定的，构成上述布线图的铜粒子平均结晶粒子径在0.65～0.85μm的范围内，构成上述布线图的铜粒子平均结晶粒子中，小于0.1μm的铜结晶粒子所占容积比率小于等于1％，并且使用EBSP测定的，该布线图引线的长度方向取向[100]的铜结晶粒子的含量在10～20容积％的范围内；(B)上述绝缘薄膜由抗拉强度在450～600MPa范围内，杨氏模量在8500～9500MPa范围内的聚酰亚胺薄膜形成；(C)上述绝缘薄膜由厚度10～30μm的聚酰亚胺薄膜形成；(D)在上述布线图上形成的绝缘树脂涂敷层，具有绝缘薄膜厚度的50～150％的厚度。
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