[发明专利]具有优良耐折性的电路基板及半导体装置

权利要求书

1、一种具有优良耐折性的电路基板，在绝缘薄膜的至少一个面上形成含有铜的布线图，该布线图上形成有绝缘树脂涂敷层并露出布线图的端子部分，所述电路基板，其特征为，该电路基板具有由下述(A)、(B)、(C)及(D)所构成的组中的至少一种构造：

(A)使用反向散射电子衍射分析装置(EBSP)测定的，构成上述布线图的铜粒子平均结晶粒子径在0.65～0.85μm的范围内，构成上述布线图的铜粒子平均结晶粒子中，小于0.1μm的铜结晶粒子所占容积比率小于等于1％，并且使用EBSP测定的，该布线图引线的长度方向取向[100]的铜结晶粒子的含量在10～20容积％的范围内；

(B)上述绝缘薄膜由抗拉强度在450～600MPa范围内，杨氏模量在8500～9500MPa范围内的聚酰亚胺薄膜形成；

(C)上述绝缘薄膜由厚度10～30μm的聚酰亚胺薄膜形成；

(D)在上述布线图上形成的绝缘树脂涂敷层，具有绝缘薄膜厚度的50～150％的厚度。

2、如权利要求1所述的电路基板，其特征为，所述电路基板以0.1～5.0mm的曲率半径，弯曲90～180度使用。

3、如权利要求1所述的电路基板，其特征为，构成所述电路基板的布线图所含的铜结晶粒子中，95个％以上具有小于等于3μm的粒子径。

4、如权利要求1所述的电路基板，其特征为，所述绝缘薄膜，是作为四羧酸二酐组分，使用联苯四羧酸二酐而形成的聚酰亚胺薄膜。

5、如权利要求1所述的电路基板，其特征为，形成在上述(D)布线图上的绝缘树脂涂敷层具有相对于绝缘薄膜厚度101～150％的厚度。

6、如权利要求1所述的电路基板，其特征为，所述布线图的内引线部的节距宽度小于等于35μm。

7、一种半导体装置，其特征为，在上述权利要求1～6任意一项所述的电路基板上安装有电子元器件。