[发明专利]具有优良耐折性的电路基板及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有优良耐折性的电路基板及半导体装置。尤其涉及如下的电路基板及半导体装置，即，向电子设备安装在电路基板上搭载了半导体芯片的半导体装置时，即使将电路基板弯曲后使用也不易发生断线，或不易发生因电子设备使用中的振动等，承受反复的应力而引起的断线的电路基板及半导体装置。

背景技术

为了驱动液晶显示装置、PDP等显示装置而使用半导体芯片。此类半导体芯片被搭载于在绝缘薄片的表面形成了布线图的电路基板后，被组装到电子设备中。电子设备上需要高密度地搭载上述的半导体芯片，并且将半导体芯片安装于如上所述的电路基板后，将该电路基板弯曲从而搭载在电子元器件上的情况日益增多。当如上所述地弯曲使用电路基板时，例如在使用ACF(异向导电膜)连接电路基板与面板等外部电子元器件时，使用中在电路基板的阻焊剂等绝缘树脂保护膜边缘部与ACF边缘部之间或连接端子附近不易发生断线，而布线图则容易发生断线。

发明内容

为了形成在此类弯曲使用的电路基板上所形成的布线图，用专利文献1(日本专利特开2006-117977)所公开的轧制铜箔制造的形成有布线图的挠性印刷电路基板，具有良好的耐曲挠性。所述专利文献1所公开的轧制铜箔为，“具有良好耐曲挠性的铜箔，其特征为，在最终轧制后退火状态下的轧制铜箔截面构造中，向板厚方向贯通铜箔两个表面的结晶粒的截面面积比率大于等于40％”。

但是，因上述轧制铜箔的价格比电解铜箔高，使用轧制铜箔则无法实现液晶显示装置等电子产品的低价格化。

而这一点上，电解铜箔较轧制铜箔廉价，为了降低电子设备的成本，而优选使用电解铜箔。

例如，在日本专利特开平8-335607号公报(专利文献2)中公开了使用热处理后的拉伸强度为20～30kgf/mm²、弯曲弹性系数为3000～5000kgf/mm²的金属箔(主要为电解铜箔)，不使用粘接剂，直接与基底薄膜层压而得的单层布线TCP的发明。

将使用此类较薄铜箔形成的电路基板弯曲使用时，电路基板将会连续重复承受挠曲应力、剪切应力、扭曲应力、及其它各种应力，进而在弯曲部、ACF边缘部附近和连接端子附近容易发生断线。尤其，形成布线图内引线部的节距宽度窄于35μm的布线图时，由于形成布线图的电解铜箔也变薄，所以容易发生断线。

虽然随着如此形成的布线图的布线宽度逐渐变窄，所使用的导电金属层的厚度也必须变薄，但所获得的布线图的耐折性却必须提高。即，最近的对高密度化电路基板所要求的特性，对于弯曲使用的布线图来说，被认为是降低耐折性的要素的电路基板的高密度化与提高布线图的耐折性是相矛盾的要素，很难使两者同时满足。而且除了这些还强烈需要低成本化，进而凭借以前的已知技术无法制造解决该相矛盾要素的电路基板。

另外，在日本专利特开2005-153357号公报(专利文献3)中公开了覆金属箔树脂薄膜的发明，根据其记载，从该金属箔的光泽面到1/2总厚度的截面区域中，根据EBSD法测定的，晶体粒径(将其作为圆计算出的直径乘以面积比值的和)大于等于1.0μm的结晶粒子的比率为1～60面积％。该专利文献3所公开的发明是，根据EBSD法，在短时间内测定铜箔表面所发生的随时间的变化，迅速测定铜箔的表面状态，进行最适当的铜箔选定。因此，该专利文献3中没有记载有关铜箔本身的晶体状态与耐折性的技术内容。

专利文献1日本专利特开2006-117977号公报

专利文献2日本专利特开平8-335607号公报

专利文献3日本专利特开2005-153357号公报

发明内容

本发明的目的在于提供非常高密度地形成了布线图并且该布线图具有优良耐折性的电路基板及半导体装置。

本发明为具有良好耐折性的电路基板，是在绝缘薄膜的至少一个面上形成含有铜的布线图，该布线图上形成有绝缘树脂涂敷层并露出布线图的端子部分，所述电路基板，其特征为，该电路基板具有由下述(A)、(B)、(C)及(D)所构成的组中的至少一种构造。

(A)使用反向散射电子衍射分析装置(EBSP)测定的，构成上述布线图的铜粒子平均结晶粒子径在0.65～0.85μm范围内，构成上述布线图的铜粒子平均结晶粒子中，小于0.1μm的铜结晶粒子所占容积比率小于等于1％，并且使用EBSP测定的，该布线图引线的长度方向取向[100]的铜结晶粒子的含量在10～20容积％范围内。