[发明专利]多晶硅生产方法有效
申请号: | 200710120468.4 | 申请日: | 2007-08-20 |
公开(公告)号: | CN101372335A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 沈祖祥;严大洲;汤传斌;肖荣晖;毋克力 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/039 | 分类号: | C01B33/039;C01B33/03;F25J3/00;B01D53/14;C01B3/50;C01B7/07;C01B33/107 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种改进的多晶硅生产方法,包括以工业硅和氯化氢为原料,反应生成三氯氢硅,所述三氯氢硅经提纯后,送入还原炉与氢气反应,还原生成多晶硅,并收集尾气,其中所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和氯硅烷,所述氯硅烷主要包括二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,所述改进的多晶硅生产方法还包括对所述尾气中的氯化氢进行回收循环利用的步骤,并将回收的氯化氢投入多晶硅生产过程中与工业硅反应生成三氯氢硅。本发明采用干法处理将尾气中的氯化氢回收,并可再用于多晶硅生产中,原料得以充分的利用,减少了污染物,解决了环境污染问题,提高了产品质量,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 多晶 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅生产方法,包括以下步骤:以工业硅和氯化氢为原料,反应生成三氯氢硅;将所述三氯氢硅经提纯后与氢气反应,从而还原生成多晶硅;收集生成三氯氢硅、提纯三氯氢硅和生成多晶硅过程产生的尾气,其中所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和氯硅烷,所述氯硅烷主要包括二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅;加压和冷却所述尾气,以便使所述三氯氢硅和四氯化硅变为液态而所述氢气、氯化氢、二氯二氢硅保持为气态,从而通过气液分离将气态的氢气、氯化氢和二氯二氢硅与液态的三氯氢硅和四氯化硅分离;使气态的氢气、氯化氢、和二氯二氢硅通过液态的吸收剂,以便气态的氯化氢和二氯二氢硅溶解于液态的吸收剂中,从而将氢气与氯化氢和二氯二氢硅分离;对溶解了氯化氢和二氯二氢硅的吸收剂进行升温和/或加压,以便将氯化氢和二氯二氢硅从液态吸收剂中解吸出来;和通过控制解吸出来的气态的氯化氢和二氯二氢硅的压力和/或温度使二氯二氢硅变为液态,从而分离氯化氢与二氯二氢硅,由此回收氯化氢。
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