[发明专利]多晶硅生产方法

权利要求书

1.一种多晶硅生产方法，包括以下步骤：

以工业硅和氯化氢为原料，反应生成三氯氢硅；

将所述三氯氢硅经提纯后与氢气反应，从而还原生成多晶硅；

收集生成三氯氢硅、提纯三氯氢硅和生成多晶硅过程产生的尾气，其中所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅；

用液态的四氯化硅对所述尾气进行淋洗，以去除其中的固体杂质以及高氯硅烷；

加压和冷却经淋洗后的所述尾气，以便使所述三氯氢硅和四氯化硅变为液态而所述氢气、氯化氢、二氯二氢硅保持为气态，从而通过气液分离将气态的氢气、氯化氢和二氯二氢硅与液态的三氯氢硅和四氯化硅分离；

使气态的氢气、氯化氢、和二氯二氢硅通过液态的吸收剂，以便气态的氯化氢和二氯二氢硅溶解于液态的吸收剂中，从而将氢气与氯化氢和二氯二氢硅分离；

对溶解了氯化氢和二氯二氢硅的吸收剂进行升温，以便将氯化氢和二氯二氢硅从液态吸收剂中解吸出来；和

通过控制解吸出来的气态的氯化氢和二氯二氢硅的压力和/或温度使二氯二氢硅变为液态，从而分离氯化氢与二氯二氢硅，由此回收氯化氢。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其中所述尾气被加压到0.3～1.5MPa。

3.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其中所述尾气被冷却到-20～-70℃。

4.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其中所述液态吸收剂为四氯化硅。

5.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其中所述溶解了氯化氢和二氯二氢硅的吸收剂被升温到70～220℃。 

6.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其中对在淋洗过程中吸收了氯化氢的液态四氯化硅进行升温，使得氯化氢从液态四氯化硅中被解吸出来。

7.根据权利要求6所述的多晶硅生产方法，其中所述吸收了氯化氢的液态四氯化硅被升温到70～220℃。

8.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其中解吸出来的气态的氯化氢和二氯二氢硅的压力控制为0.1～2.0Mpa。

9.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其中解吸出来的气态的氯化氢和二氯二氢硅的温度控制为30～-70℃。