[发明专利]制作高压金氧半导体元件的方法无效
| 申请号： | 200710110287.3 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101320692A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李文芳;林育贤;黄雅凰;刘明彦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作高压金氧半导体元件的方法，首先，提供基底，并于基底上形成牺牲图案，牺牲图案具有开口，曝露出部分高压元件区。随后于该开口中形成栅极氧化层，再去除牺牲图案。之后于栅极氧化层上形成栅极电极，并于栅极氧化层两侧的基底中形成两个重度掺杂区。接着于栅极电极的表面与重度掺杂区的表面分别形成自行对准金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 高压 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作高压金氧半导体元件的方法，包含：提供基底，该基底包含有至少一高压元件区；于该基底上形成牺牲图案，该牺牲图案具有开口，且该开口曝露出部分该高压元件区；于该开口曝露出的该高压元件区的该基底上形成栅极氧化层；去除该牺牲图案；于该栅极氧化层上形成栅极电极；于该栅极氧化层两侧的该基底中形成两个重度掺杂区；以及于该栅极电极的表面与该两个重度掺杂区的表面分别形成自行对准金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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