[发明专利]制作高压金氧半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制作高压金氧半导体元件的方法，包含：

提供基底，该基底包含有至少一高压元件区；

于该基底上形成牺牲图案，该牺牲图案具有开口，且该开口曝露出部分该高压元件区；

于该开口曝露出的该高压元件区的该基底上形成栅极氧化层；

去除该牺牲图案；

于该栅极氧化层上形成栅极电极；

于该栅极氧化层两侧的该基底中形成两个重度掺杂区；以及

于该栅极电极的表面与该两个重度掺杂区的表面分别形成自行对准金属硅化物。

2.如权利要求1所述的方法，其中该牺牲图案包含氮化硅层。

3.如权利要求2所述的方法，其中该牺牲图案另包含氧化硅层，设于该氮化硅层与该基底之间。

4.如权利要求1所述的方法，另包含于该高压元件区的该栅极氧化层上形成该栅极电极之前，先于该高压元件区的该基底中形成两个轻度掺杂区。

5.如权利要求4所述的方法，其中各该轻度掺杂区与其相对应的该重度掺杂区构成双重扩散漏极。

6.如权利要求1所述的方法，其中该高压元件区的该两个重度掺杂区为源极与漏极。

7.如权利要求1所述的方法，其中该高压元件区的该栅极氧化层利用热氧化工艺形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中在该栅极电极的通道方向上，该牺牲图案的该开口的长度大于该栅极电极的长度。

9.如权利要求1所述的方法，另包含于形成该牺牲图案之前，先于该基底中形成隔离结构。

10.一种制作高压金氧半导体元件的方法，包含：

提供基底，该基底包含有高压元件区与低压元件区；

于该基底上形成牺牲图案，该牺牲图案具有开口，且该开口曝露出部分该高压元件区；

于该开口曝露出的该高压元件区的该基底上形成第一氧化层；

去除该牺牲图案；

于该基底上形成第二氧化层，且该第二氧化层覆盖于该第一氧化层之上；

于该高压元件区的该第二氧化层与该低压元件区的该第二氧化层上分别形成栅极电极；

去除未被该低压元件区的该栅极电极覆盖的该第二氧化硅层，以形成低压栅极氧化层，并一并去除未被该高压元件区的该栅极电极覆盖的该第二氧化层，以形成高压栅极氧化层；

于高压元件区的该高压栅极氧化层两侧的该基底中形成两个重度掺杂区；

以及

于该高压元件区的该栅极电极的表面与该两个重度掺杂区的表面分别形成自行对准金属硅化物。

11.如权利要求10所述的方法，其中该牺牲图案包含氮化硅层。

12.如权利要求11所述的方法，其中该牺牲图案另包含氧化硅层，设于该氮化硅层与该基底之间。

13.如权利要求10所述的方法，另包含于该高压元件区的该第二氧化层上形成该栅极电极之前，先于该高压元件区的该基底中形成两个轻度掺杂区。

14.如权利要求13所述的方法，其中各该轻度掺杂区与其相对应的该重度掺杂区构成双重扩散漏极。

15.如权利要求10所述的方法，其中该高压元件区的该两个重度掺杂区为源极与漏极。

16.如权利要求10所述的方法，其中该高压元件区的该第一氧化层利用热氧化工艺形成。

17.如权利要求10所述的方法，其中该第二氧化层利用热氧化工艺形成。

18如权利要求10所述的方法，其中该高压栅极氧化层的厚度约略等于该第一氧化层与该第二氧化层的厚度和。

19.如权利要求10所述的方法，其中在该高压元件区的该栅极电极的通道方向上，该牺牲图案的该开口的长度大于该栅极电极的长度。

20.如权利要求10所述的方法，另包含于形成该牺牲图案之前，先于该基底中形成多个隔离结构。