[发明专利]TFT阵列衬底、其制造方法以及显示装置有效
| 申请号： | 200710110268.0 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101087004A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 柴田英次 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有优良特性的TFT阵列衬底、其制造方法以及使用该衬底的显示装置。本发明的一个实施方式的TFT阵列衬底是具有配置在源极区域(41)和漏极区域(42)之间的沟道区域(43)的TFT阵列衬底，包括形成在衬底(1)上的栅电极(2)、以覆盖栅电极(2)的方式形成的栅极绝缘膜(3)、隔着栅极绝缘膜(3)设置在栅电极(2)上的半导体层(30)、具有设置在半导体层(30)的源极区域(41)上的金属膜的源电极(6)、具有设置在半导体层(30)的漏极区域(42)上的金属膜的漏电极(7)、配置在源电极(6)与源极区域(41)之间以及漏电极(7)和漏极区域(42)之间的透明导电膜(10)，透明导电膜(10)的从半导体层30露出部分的剖面是正锥形形状。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 衬底 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列衬底，具有配置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域，其特征在于：包括：形成在衬底上的栅电极；以覆盖所述栅电极的方式形成的栅极绝缘膜；隔着所述栅极绝缘膜设置在所述栅电极上的半导体层；具有设置在所述半导体层的源极区域上的金属膜的源电极；具有设置在所述半导体层的漏极区域上的金属膜的漏电极；配置在所述源电极与源极区域之间以及所述漏电极与漏极区域之间的透明导电膜，所述半导体层的从所述透明导电膜露出的部分的剖面是正锥形形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710110268.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
