[发明专利]TFT阵列衬底、其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列衬底，具有配置在源极区域和漏极区域之间的沟 道区域，其特征在于：

包括：形成在衬底上的栅电极；以覆盖所述栅电极的方式形成的 栅极绝缘膜；隔着所述栅极绝缘膜设置在所述栅电极上的半导体层； 具有设置在所述半导体层的源极区域上的金属膜的源电极；具有设置 在所述半导体层的漏极区域上的金属膜的漏电极；配置在所述源电极 与源极区域之间以及所述漏电极与漏极区域之间的透明导电膜，

所述半导体层的从所述透明导电膜露出的部分的剖面是正锥形形 状。

2.如权利要求1的TFT阵列衬底，其特征在于：

在以覆盖所述衬底上的方式形成的钝化膜上还具有与所述漏电极 连接的像素电极。

3.如权利要求2的TFT阵列衬底，其特征在于：

通过设置在所述钝化膜上的接触孔除去所述漏电极的一部分，使 所述像素电极与所述透明导电膜直接连接。

4.如权利要求2或3的TFT阵列衬底，其特征在于，

所述像素电极与所述透明导电膜是相同的材料。

5.如权利要求1、2或3的TFT阵列衬底，其特征在于，

所述半导体层是非晶硅。

6.如权利要求1、2或3的TFT阵列衬底，其特征在于：

所述源电极以及漏电极含有Ti、Ta、Mo、Al以及以这些金属为 主要成分的合金的至少一种。

7.一种显示装置，其特征在于：

使用如权利要求1、2或3的TFT阵列衬底。

8.一种TFT阵列衬底的制造方法，该TFT阵列衬底具有配置在源 极区域和漏极区域之间的沟道区域，该方法包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上连续地形成栅极绝缘膜、半导体层以及透明导电 膜；

使用形成在所述透明导电膜上的第一光致抗蚀剂图形将该透明导 电膜刻蚀为岛状；

使用所述第一光致抗蚀剂图形和所述透明导电膜的叠层掩膜对所 述半导体层进行刻蚀；

在除去所述第一光致抗蚀剂图形并且在包括所述透明导电膜的衬 底上形成金属膜之后，使用第二光致抗蚀剂图形对该金属膜进行干法 刻蚀，在该透明导电膜上形成源电极以及漏电极；

对形成在所述半导体层的沟道区域上的所述透明导电膜进行刻 蚀；

形成沟道区域。

9.如权利要求8的TFT阵列衬底的制造方法，其特征在于，还包 括如下步骤：

形成所述沟道区域之后，在所述衬底上形成具有接触孔的钝化 膜；

在具有所述接触孔的钝化膜上，形成通过该接触孔与所述透明导 电膜直接连接的像素电极。

10.如权利要求9的TFT阵列衬底的制造方法，其特征在于：

在由干法刻蚀形成接触孔时，一并对形成露出到所述接触孔部的 漏电极的金属膜进行刻蚀形成。

11.如权利要求8或9的TFT阵列衬底的制造方法，其特征在于，

在形成所述源电极以及所述漏电极的步骤中，包括如下步骤：

在所述金属膜上，由两阶段曝光形成第二抗蚀剂图形，该第二抗 蚀剂图形在接触孔部厚度变薄，该接触孔部是在所述钝化膜上形成接 触孔的部分；

隔着所述第二光致抗蚀剂图形刻蚀所述金属膜；

对形成在沟道区域上的所述透明导电膜进行刻蚀；

对所述第二光致抗蚀剂图形的一部分进行灰化，使所述金属膜在 所述接触孔部露出；

刻蚀所述露出的金属膜，使所述接触孔部的所述透明导电膜露 出；

形成沟道区域。

12.如权利要求9的TFT阵列衬底的制造方法，其特征在于：

所述像素电极和所述透明导电膜使用相同的材料。