[发明专利]有机半导体装置及制造法、有机电致发光装置及制造法有效

专利信息
申请号: 200710109512.1 申请日: 2007-06-27
公开(公告)号: CN101097990A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 深濑章夫;富冈俊二;柳原弘和 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/56;H05B33/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种可以使有机半导体层的层厚均一的有机半导体装置的制造方法、有机半导体装置、有机电致发光装置的制造方法及有机电致发光装置,其特征在于,在阳极上形成使构成空穴输送层的材料溶解或分散于有机溶剂中而成的液态组合物的涂布膜,使涂布膜中对象面侧的规定厚度部分固化并且不溶解于包括该有机溶剂的规定的溶剂,从而形成固化部分,利用甲苯等除去涂布膜中没有固化的非固化部分,形成空穴输送层,所以固化部分残留,该固化部分成为层厚均一的空穴输送层。
搜索关键词: 有机半导体 装置 制造 有机 电致发光
【主权项】:
1.一种有机半导体装置的制造方法,其是在基板上层叠有多个有机半导体层而成的有机半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:涂布膜形成工序,其是在包含所述基板的表面和所述多个有机半导体层中的其他有机半导体层的表面的对象面上,形成使构成所述多个有机半导体层中一个有机半导体层的材料溶解或分散于第1溶剂而成的液态组合物的涂布膜;变质工序,其是使所述涂布膜中所述对象面侧的规定的厚度部分按照不溶解于含有所述第1溶剂的规定溶剂的方式发生变质;和除去工序,其利用所述规定的溶剂除去所述涂布膜中在所述变质工序中没有发生变质的非变质部分。
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