[发明专利]有机半导体装置及制造法、有机电致发光装置及制造法有效
| 申请号: | 200710109512.1 | 申请日: | 2007-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN101097990A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 深濑章夫;富冈俊二;柳原弘和 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/56;H05B33/10 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机半导体 装置 制造 有机 电致发光 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机半导体装置的制造方法、有机半导体装置、有机电致发光装置的制造方法及有机电致发光装置。
背景技术
显示器等显示装置中使用的有机电致发光装置(以下称为“有机EL装置”。)通常构成为在基板上设置有:含有具有发光性的发光层和具有空穴输送性的空穴输送层的有机层,和夹持该有机层的阴极及阳极。成为层叠有机EL装置的发光层与空穴输送层而成的构成。通过来自阴极的电子与来自阳极的空穴在发光层结合来发光。
作为形成发光层、空穴输送层2个有机层的手法,包括利用蒸镀法使构成该发光层及空穴输送层的材料依次在基板上成膜、层叠的手法(干法工艺(dry process)),或制作使构成发光层及空穴输送层的材料溶解或分散于有机溶剂而成的液态组合物,使该液态组合物在基板上成膜之后,使有机溶剂蒸发的手法(湿法工艺(wet process))等。作为湿法工艺,可以举出例如喷墨法。利用喷墨法,即使在大面积的基板上也可以容易地形成有机层,所以在近年来正在大型化的显示器用有机EL装置等的制造中,尤其被期待(例如参照专利文献1~专利文献3)。
专利文献1:特开2000-77185号公报
专利文献2:特开2000-208254号公报
专利文献3:特开2000-243300号公报
但是,在利用喷墨法形成有机层的情况下,涂布液态组合物的对象面的表面的疏液性或亲液性大多变得不均一,涂布膜的膜厚大多变得不均一。不仅是有机EL装置如此,而且在层叠有机膜的显示器例如有机晶体管等其他有机半导体装置中也存在同样的问题。
发明内容
鉴于上述情况,本发明的目的在于,提供一种可以使有机半导体层的层厚均一的有机半导体装置的制造方法、有机半导体装置、有机电致发光装置的制造方法以及有机电致发光装置。
为了实现上述目的,本发明中的有机半导体装置的制造方法是在基板上层叠多个有机半导体层而成的有机半导体装置的制造方法,其特征在于,具备第1有机半导体层形成工序和在所述第1有机半导体层形成工序中形成的所述第1有机半导体层上形成所述第2有机半导体层的第2有机半导体层形成工序,其中的第1有机层形成工序具有:涂布膜形成工序,其是在包括所述基板的表面及所述多个有机半导体层中的其他有机半导体层的表面的对象面上,形成使构成所述多个有机半导体层中的一个有机半导体层的材料溶解或分散于第1溶剂而成的液态组合物的涂布膜;变质工序,其是使所述涂布膜中所述对象面侧的规定的厚度部分按照不溶解于含有所述第1溶剂的规定溶剂的方式发生变质;和除去工序,其利用所述规定的溶剂除去所述涂布膜中在所述变质工序中没有发生变质的非变质部分。
利用本发明,在包括基板的表面及多个有机半导体层中的其他有机半导体层的表面的对象面上,形成使构成多个有机半导体层中的一个有机半导体层的材料溶解或分散于第1溶剂而成的液态组合物的涂布膜,使该涂布膜中对象面侧的规定的厚度部分按照不溶解于含有第1溶剂的规定溶剂的方式发生变质,利用规定的溶剂除去涂布膜中没有发生变质的非变质部分,所以已发生变质的规定的厚度部分的涂布膜残留,该涂布膜的残留部分成为有机半导体层。这样,可以形成具有均一膜厚的有机半导体层。
另外,优选在所述基板的表面设置与所述多个有机半导体层电连接的电极,所述对象面为所述电极的表面。
利用本发明,在基板的表面设置与多个有机半导体层电连接的电极,对象面为电极的表面,所以成为在电极的表面上直接形成有机半导体层。通过在电极的表面上直接形成有机半导体层,可以使有机半导体层与电极面接触,所以可以将有机半导体层与电极之间的电阻抑制成很小,从而可 以提高导电性。
另外,所述电极优选以具有导电性的金属氧化物为主要成分。
本发明人等发现,在具有导电性的金属氧化物上形成有机半导体层的情况下,通过使有机化合物交联化,金属氧化物中含有的氧原子与有机半导体层中含有的有机化合物的分子的交联部分发生化学结合,发现该部分变得特别难以溶解于规定的溶剂。在本发明中,由于电极以具有导电性的金属氧化物为主要成分,所以可以更有效地抑制所述一个有机半导体层溶解于规定的溶剂。
本发明中的有机半导体装置优选利用上述有机半导体装置的制造方法制造。
利用本发明,可以得到有机半导体层的层厚均一、流过有机半导体层的电流的电流密度没有不均、高质量的有机半导体装置。
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