[发明专利]前向体偏置控制的半导体集成电路无效
| 申请号： | 200710109460.8 | 申请日： | 2007-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101093833A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 炭田昌哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路，在第一功能块中，PMOS晶体管的源电压输入端子和NMOS晶体管的衬底电压输入端子分别与其电源端子连接。第i(1≤i≤n－1)功能块中的该PMOS晶体管的衬底电压输入端子和其中的NMOS晶体管的源电压输入端子与第(i+1)功能块中的PMOS晶体管的源电压输入端子和包括在其中的NMOS晶体管的衬底电压输入端子双极连接。在该第n功能块中，PMOS晶体管的衬底电压输入端子和NMOS晶体管的源电压输入端子分别与其电源端子连接。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 控制 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种包括第一到第n功能块的半导体集成电路，其特征在于：包括在该第一功能块中的第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在其中的第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子分别与第一和第二电源端子连接；包括在第i(1≤i≤n-1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子与包括在该第(i+1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子双极连接；以及包括在该第n功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子分别与第三和第四电源端子连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
