[发明专利]前向体偏置控制的半导体集成电路

权利要求书

1、一种包括第一到第n功能块的半导体集成电路，其特征在于：

包括在该第一功能块中的第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在其中的第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子分别与第一和第二电源端子连接；

包括在第i(1≤i≤n-1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子与包括在该第(i+1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子双极连接；以及

包括在该第n功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子分别与第三和第四电源端子连接。

2、根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，还包括第(n+1)功能块，其中：

包括在第二到第(n-1)功能块其中之一的第j功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在第(n+1)功能块中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子连接在一起；

包括在第j功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在第(n+1)功能块中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子连接在一起；

包括在第j功能块中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在第(n+1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应管的衬底电压输入端子连接在一起；以及

包括在第j功能块中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在第(n+1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应管的源电压输入端子连接在一起。

3、根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，还包括多个恒压电路，用于将预定电压分别提供给包括在第一到第(n-1)功能块的各功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子。

4、根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，该多个恒压电路的至少其中之一包括分别与包括在第一到第n功能块其中之一中的该第一和第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和衬底电压输入端子连接的四个电压输出端子，并且根据输入信号选择的电压由该四个电压输出端子的每一个输出。

5、根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，该多个恒压电路中的至少一个包括运算放大器，其接收作为差分输入电压的给定的基准电压和提供自该恒压电路的预定电压；并且

该运算放大器通过接收提供自该第一和第二电源端子的电压以及提供自该第三和第四电源端子的电压而工作。

6、根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第一到第n功能块的至少一个具有三阱结构，该结构包括该第一和第二传导类型的第一类型的半导体衬底，而该第一和第二传导类型的第二类型的倒掺杂阱形成在该半导体衬底上，并且该第一和第二传导类型的第一类型的阱形成在该倒掺杂阱上；以及

该倒掺杂阱通过绝缘层与该半导体衬底绝缘。

7、根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第一到第n功能块的至少一个包括：

多条第一线，用于对包括在该功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管提供衬底电压；以及

多条第二线，用于对包括在该功能块中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管提供衬底电压，

其中，该第一和第二线彼此平行并相互交替延伸，而该第一和第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管设置在两者之间。

8、根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征在于，所述至少一功能块包括线控制部分，用于根据待提供给包括在该功能块中的该第一和第二传导类型的各绝缘栅场效应晶体管的前向体偏置的幅度而削减提供自该多条第一和第二线的电压。