[发明专利]电阻元件调节方法,电阻元件及电流发生装置无效
| 申请号： | 200710109015.1 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101090066A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 大塚正也;阿部博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧;王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是，能够调节由形成于半导体基板上的阱电阻元件构成的电阻元件的电阻值和电阻温度特性。该课题的解决手段是，在阱电阻区域(4)内的两个地方形成相互保持间隔的接触区域(6)。在该接触区域(6)上，隔着硅化物层(8)形成触点(10a，10b)。在阱电阻区域(4)内的接触区域(6)之间，形成调节该电阻元件的电阻值及电阻温度特性用的P+扩散区域(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 元件 调节 方法 电流 发生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电阻元件调节方法，对电阻元件的电阻值和电阻温度特性进行调节，所述电阻元件具有形成于半导体基板上的阱电阻区域和在该阱电阻区域内相互保持距离形成的接触区域，其特征在于：在所述阱电阻区域内的所述接触区域之间的表面侧上，形成用于调节电阻值及电阻温度特性的扩散区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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