[发明专利]电阻元件调节方法,电阻元件及电流发生装置

权利要求书

1.一种电阻元件调节方法，对电阻元件的电阻值和电阻温度特性进行调节，所述电阻元件具有形成于半导体基板上的阱电阻区域和在该阱电阻区域内相互保持距离形成的接触区域，其特征在于：

在所述阱电阻区域内的所述接触区域之间的表面侧上，形成用于调节电阻值及电阻温度特性的扩散区域。

2.根据权利要求1所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

注入与所述阱电阻区域相反导电型的杂质，形成所述扩散区域。

3.根据权利要求1所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

注入与所述阱电阻区域相同导电型的杂质，形成所述扩散区域。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

在所述扩散区域的表面侧形成硅化物层。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

通过改变所述扩散区域在所述阱电阻区域占有的面积比例，调节所述电阻值和所述电阻温度特性。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

在形成所述扩散区域之前，在形成所述阱电阻区域内的所述扩散区域的区域的周围，形成元件分离膜。

7.根据权利要求6所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

所述元件分离膜如下形成：对其形成区域的半导体基板进行蚀刻形成凹部，通过在包含所述凹部的所述半导体基板上堆积的方法形成绝缘膜，然后由平坦化处理仅在所述凹部留下所述绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

所述阱电阻区域是在形成所述元件分离膜之后注入杂质而形成。

9.根据权利要求1～3中的任一项所述的电阻元件调节方法，其特征在于：

用于形成所述扩散区域的杂质注入，利用了用于形成所述半导体基板其他区域的元件用的工序。

10.一种电阻元件，具有形成于半导体基板的主表面侧的阱电阻区域、形成于所述阱电阻区域内相互保持距离的两个区域内的接触区域、以及形成于所述接触区域上的触点，其特征在于：

在所述阱电阻区域的所述接触区域之间的区域的表面侧，形成用于调节电阻值以及电阻温度特性的扩散区域。

11.根据权利要求10所述的电阻元件，其特征在于：

所述扩散区域是与所述阱电阻区域的相反导电型。

12.根据权利要求10所述的电阻元件，其特征在于：

所述扩散区域是与所述阱电阻区域的相同导电型。

13.根据权利要求10～12中的任一项所述的电阻元件，其特征在于：

在所述阱电阻区域的与所述接触区域以及所述扩散区域不同的区域形成元件分离膜。

14.根据权利要求13所述的电阻元件，其特征在于：

所述元件分离膜是绝缘膜被埋入形成于所述半导体基板上的凹部的分离膜。

15.根据权利要求10～12中的任一项所述的电阻元件，其特征在于：

所述电阻元件具有多个阱电阻区域，至少在一个所述阱电阻区域上形成用于调节电阻值和电阻温度特性的扩散区域。

16.一种电流发生装置，具有生成对温度变化呈固有的关系特性的电压的电压生成部、将由所述电压生成部生成的电压施加于两端的电阻元件、以及相应于所述电压和所述电阻元件各自的温度特性输出电流的电流输出部，其特征在于：

所述电阻元件使用如权利要求10～15中的任一项所述的用于温度特性调节的电阻元件。