[发明专利]非易失性半导体存储装置以及测试它的方法无效
| 申请号： | 200710108209.X | 申请日： | 2007-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101083137A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 菅原宽 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种检测非易失性半导体存储装置(1)的方法。该非易失性半导体存储装置(1)具有场效应晶体管型的存储单元(10)。该方法包括：(A)使用FN(Fowler－Nordheim)方法对该存储单元(10)执行擦除；(B)在(A)步骤之后，使用FN方法对该存储单元(10)执行回编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 以及 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，包括：场效应晶体管型的存储单元；和控制电路，其被配置以控制所述存储单元的编程/擦除，其中，响应于表示测试模式的测试信号，所述控制电路使用FN(Fowler-Nordheim)方法执行所述存储单元的擦除，并进一步使用FN方法执行所述存储单元的回编程。
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