[发明专利]非易失性半导体存储装置以及测试它的方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，包括：

场效应晶体管型的存储单元；和

控制电路，其被配置以控制所述存储单元的编程/擦除，

其中，响应于表示测试模式的测试信号，所述控制电路使用FN(Fowler-Nordheim)方法执行所述存储单元的擦除，并进一步使用FN方法执行所述存储单元的回编程。

2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，

其中，响应于表示不同于所述测试模式的正常擦除模式的擦除信号，所述控制电路使用FN方法执行所述存储单元的擦除，并进一步使用CHE(沟道热电子)方法执行所述存储单元的回编程。

3.如权利要求2所述的非易失性半导体存储装置，

其中，所述控制电路在所述测试模式中执行所述擦除的时间比在所述正常擦除模式中的所述擦除时间长。

4.如权利要1所述的非易失性半导体存储装置，

其中在所述测试模式中，所述控制电路执行所述擦除直到所述存储单元变成抑制状态。

5.如权利要1所述的非易失性半导体存储装置，

其中，在阱上形成所述存储单元，

其中，在所述测试模式期间的所述回编程中，所述控制电路将正电位施加到所述存储单元的控制栅极并且将负电位施加到所述阱。

6.如权利要1所述的非易失性半导体存储装置，

进一步包括分别在多个阱上形成的多个扇区，

其中所述多个扇区的每一个包括所述存储单元，

其中在所述测试模式期间的所述回编程中，所述控制电路将正电位施加到所述多个扇区中的靶扇区中所包含的所述存储单元的控制栅极，并且将负电位施加到共有的所述多个阱。

7.一种非易失性半导体存储装置，包括：

场效应晶体管型的存储单元；和

控制电路，其被配置以控制所述存储单元的编程/擦除，

其中所述控制单元根据操作模式，在FN(Fowler-Nordheim)方法和CHE(沟道热电子)方法之间切换所述编程方法。

8.一种测试非易失性半导体存储装置的方法，该非易失性半导体存储装置包括场效应晶体管型的存储单元，该方法包括：

(A)使用FN(Fowler-Nordheim)方法对该存储单元执行擦除；

(B)在所述(A)步骤之后，使用FN方法对该存储单元执行回编程。

9.如权利要求8所述的方法，

其中执行所述(A)步骤，直到所述存储单元变为抑制状态。

10.如权利要8所述的方法，

其中所述存储单元形成在阱上，

其中在所述(B)步骤中，正电位被施加到所述存储单元的控制栅极，并且负电位被施加到所述阱。

11.如权利要求8所述的方法，

其中，为所述非易失性半导体存储装置提供有多个扇区，该多个扇区分别形成在多个阱上，并且所述多个扇区的每一个包括所述存储单元，

其中在所述(B)步骤中，正电位被施加到所述多个扇区中的靶扇区所包含的所述存储单元的控制栅极，并且负电位被施加到共有的所述多个阱。