[发明专利]存储器单元存取电路有效

专利信息
申请号: 200710105562.2 申请日: 2007-05-25
公开(公告)号: CN100570741C 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: J·E·小巴思 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/18;G11C11/4091;G11C11/4097
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 朱海波
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于存取存储器单元的电路,包括局部位线和具有多个晶体管的局部读出放大器。该局部位线可以连接存储器单元和读出放大器。第一全局位线可以连接到该多个晶体管中的第一晶体管。第二全局位线可以连接到该多个晶体管中的第二晶体管。次级读出放大器可以连接到该第一全局位线和第二全局位线。
搜索关键词: 存储器 单元 存取 电路
【主权项】:
1.一种用于存取存储器单元的电路,所述电路包括:局部位线;具有多个晶体管的局部读出放大器,所述局部位线将所述存储器单元连接到所述局部读出放大器;与所述多个晶体管中的第二晶体管相连的第一全局位线;与所述多个晶体管中的第三晶体管相连的第二全局位线;以及与所述第一全局位线和所述第二全局位线相连的次级读出放大器,其中所述局部读出放大器包括:第一晶体管,具有与所述局部位线相连的栅极、与所述第一全局位线相连的源极和与所述第二全局位线相连的漏极;第二晶体管,具有与所述第一全局位线相连的栅极、与所述局部位线相连的漏极和与第一电源相连的源极;以及第三晶体管,具有与所述第二全局位线相连的栅极、与第二电源相连的源极和与所述局部位线相连的漏极。
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