[发明专利]半导体制造工艺的冗余填充方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 200710103909.X | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101231667A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张广兴;郑仪侃;侯永清 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/768;H01L21/82;H01L23/528;H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体制造工艺的冗余填充方法，提供电路图形，产生该电路图形的密度报告以辨别冗余填充(dummy insertion)的可行区域(feasible area)。该方法也包括利用该密度报告模拟平坦化(planarization)制造工艺和辨别该电路图形上的热点(hot spot)，并填充虚拟冗余图形在该可行区域里，再调整该密度报告。此方法利用该调整的密度报告模拟该平坦化制造工艺直到该热点被移除为止。本发明可以减少电路设计的冗余金属数量而节省光掩模时间、CPU时间、和信号存储存储器。这将有利于设计时序收敛(time closure)更快更容易。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺 冗余 填充 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造工艺的冗余填充方法，包括：提供电路图形；产生该电路图形中、辨别为使用冗余填充的可行区域的密度报告；根据该密度报告模拟平坦化工艺并且辨别该电路图形上的热点；填充虚拟冗余图形至该可行区域并且依此调整该密度报告；以及于填充该虚拟冗余图形后，根据调整的该密度报告模拟该平坦化工艺直到移除该热点。
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