[发明专利]半导体制造工艺的冗余填充方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体制造工艺的冗余填充方法，包括：

提供电路图形；

产生该电路图形中、辨别为使用冗余填充的可行区域的密度报告；

根据该密度报告模拟平坦化工艺并且辨别该电路图形上的热点；

填充虚拟冗余图形至该可行区域并且依此调整该密度报告；以及

于填充该虚拟冗余图形后，根据调整的该密度报告模拟该平坦化工艺直到移除该热点。

2.如权利要求1所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，提供该电路图形的步骤包括以电脑辅助设计格式提供该电路图形。

3.如权利要求2所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该提供方法包括以GDS格式提供该电路图形。

4.如权利要求1所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该提供方法包括提供包括数个金属层的电路图形。

5.如权利要求1所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该产生方法包括把该电路图形分成数个区域，并且在软件环境中判别每个区域的区域密度。

6.如权利要求5所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该软件环境包括设计规则检查工具。

7.如权利要求5所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该模拟方法包括执行虚拟化学机械研磨模拟器去产生该等区域的厚度和形貌报告。

8.如权利要求7所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该辨别方法包括辨别该热点与其邻近区域有大于最小厚度的厚度差异。

9.一种半导体制造工艺的冗余填充方法，包括：

提供电路布局；

产生该电路布局的密度报告以辨别可以使用冗余填充的区域；

模拟使用填充冗余填充于该区域的第一密度填充方法的第一平坦化工艺，和第二密度填充方法的第二平坦化工艺；以及

决定该电路布局的最佳冗余填充，通过比较该第一平坦化工艺的第一厚度报告和该第二平坦化工艺的第二厚度报告，以辨别热点和冷点。

10.如权利要求9所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该产生方法包括把该电路布局分成数个格子，其中每个格子具有区域密度。

11.如权利要求10所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该产生方法包括在所述数个格子执行设计规则检查以辨别该区域和该区域可以执行冗余填充的密度。

12.如权利要求9所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该模拟方法包括执行虚拟化学机械研磨模拟器。

13.如权利要求9所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该模拟方法包括设定该第一密度填充方法，该第一密度填充方法包括最小密度填充方法。

14.如权利要求13所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该模拟方法包括设定该第二密度填充方法，该第二密度填充方法包括目标密度填充方法。

15.如权利要求9所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该决定方法包括辨别该冷点以移除该区域内的冗余填充，其中该冷点的该第一厚度报告和该第二厚度报告具有小于最小厚度的厚度差异。

16.如权利要求15所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该决定方法包括辨别该热点以在该区域内加入冗余图形，其中该热点与其邻近格子具有大于最小厚度的厚度差异。

17.如权利要求15所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，其中，该决定方法包括辨别该热点以在该区域内加入冗余图形，其中该热点的该第一厚度报告与该第二厚度报告具有大于最小厚度的厚度差异。

18.如权利要求9所述的半导体制造工艺的冗余填充方法，还包括产生有该最佳冗余填充的最终电路布局。

19.一种半导体装置，包括：

有数个区域的电路布局，其中每个区域具有区域密度；

在该电路布局内可以执行冗余填充的区域；以及

在该区域内的最佳冗余填充，其中该最佳冗余填充用以辨别热点和冷点，通过比较使用第一密度填充方法的第一模拟平坦化工艺和使用第二密度填充方法的第二模拟平坦化工艺。