[发明专利]用于减小接触电阻的方法和结构有效
| 申请号： | 200710103804.4 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101079419A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | C·E·默里;C·拉沃耶;K·P·罗德贝尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/532;H01L29/78;H01L29/43;H01L29/49;H01L21/822;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了减小接触开口内接触电阻的半导体结构以及形成该结构的方法。这在本发明中通过用含金属锗化物接触材料取代常规的接触冶金，例如钨，或金属硅化物，例如Ni硅化物或Cu硅化物实现。在本申请中使用术语“含金属锗化物”表示纯金属锗化物(即，MGe合金)或包括Si的金属锗化物(即，MSiGe合金)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 接触 电阻 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括在其上设置的至少一个场效应晶体管，所述半导体衬底包括位于邻近所述至少一个场效应晶体管的硅化物接触区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上并在所述至少一个场效应晶体管上延伸，所述层间绝缘层具有暴露所述硅化物接触区域的接触开口；含金属锗化物接触材料，在所述接触开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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