[发明专利]用于减小接触电阻的方法和结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，包括在其上设置的至少一个场效应晶体管，所述半导体衬底包括位于邻近所述至少一个场效应晶体管的硅化物接触区域；

层间绝缘层，位于所述半导体衬底上并在所述至少一个场效应晶体管上延伸，所述层间绝缘层具有暴露所述硅化物接触区域的接触开口；

含金属锗化物接触材料，在所述接触开口中。

2.根据权利要求1的半导体结构，还包括扩散阻挡层，位于所述接触开口的至少壁部分和底部上，所述扩散阻挡层将所述含金属锗化物接触材料与所述硅化物接触区域分开。

3.根据权利要求1的半导体结构，其中所述含金属锗化物接触材料与所述硅化物接触区域直接接触。

4.根据权利要求2的半导体结构，其中在每个接触开口的底部附近的区域包括原子物质以减小接触开口/扩散阻挡层界面处的肖特基势垒高度。

5.根据权利要求2的半导体结构，其中在每个接触开口的顶部附近的区域包括原子物质以减小接触开口/扩散阻挡层界面处的肖特基势垒高度。

6.根据权利要求1的半导体结构，其中所述含金属锗化物接触包括金属锗化物合金或金属硅锗化物合金。

7.根据权利要求6的半导体结构，其中所述金属是W，Cu，和Ni中的一种。

8.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，包括在其上设置的至少一个场效应晶体管；

层间绝缘层，位于所述半导体衬底上并在所述至少一个场效应晶体管上延伸，所述层间绝缘层具有接触开口；以及

连续含金属锗化物材料，在所述接触开口内，所述连续含金属锗化物材料具有用作器件接触的下部分和用作与上面的金属接触的上部分。

9.根据权利要求8的半导体结构，其中所述含金属锗化物材料包括金属锗化物合金或金属硅锗化物合金。

10.根据权利9的半导体结构，其中所述金属是W，Cu和Ni中的一种。

11.一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：

提供包括在其上设置的至少一个场效应晶体管的半导体衬底；

形成位于所述半导体衬底上并在所述至少一个场效应晶体管上延伸的层间绝缘层，所述层间绝缘层具有接触开口；以及

在所述接触开口内形成含金属锗化物接触材料。

12.根据权利11的方法，还包括在所述形成所述含金属锗化物接触材料之前形成位于所述接触开口的至少壁部分和底部上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层将含金属锗化物接触材料与下面的硅化物接触区域分开。

13.根据权利11的方法，其中所述含金属锗化物接触材料与下面的硅化物接触区域直接接触。

14.根据权利11的方法，其中所述含金属锗化物接触材料具有下部分和上部分，其中所述下部分用作与所述至少一个场效应晶体管的源极/漏极和与栅极区域的接触，而所述上部分用作与上面的金属的接触。

15.根据权利11的方法，还包括形成在每个接触开口的底部附近的区域，其包括原子物质以减小接触开口/扩散阻挡层界面处的肖特基势垒高度。

16.根据权利11的方法，还包括形成在每个接触开口的顶部附近的区域，其包括原子物质以减小接触开口/扩散阻挡层界面处的肖特基势垒高度。

17.根据权利11的方法，其中所述形成所述含金属锗化物材料包括以任意顺序沉积金属层和含Ge材料，形成阻挡层，退火以引起所述金属层和所述含Ge材料之间的反应，并除去未反应材料。

18.根据权利17的方法，其中所述退火在400℃或更小的温度下执行。

19.根据权利11的方法，其中所述含金属锗化物材料包括金属锗化物合金或金属硅锗化物合金。

20.根据权利11的方法，其中所述含金属锗化物接触材料具有下部分和上部分，其中所述下部分用作与所述至少一个场效应晶体管的源极/漏极的接触，而所述上部分用作与上面的金属的接触。