[发明专利]集成电路的内连线结构有效
| 申请号： | 200710103713.0 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101083248A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 余振华;叶名世 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路的内连线结构，已经证实其具有降低阻容延迟以及漏电流。本内连线结构包括一第一导线于一第一介电层中、一第二介电层于第一介电层的与第一导线之上，以及一双镶嵌结构于第二介电层中。双镶嵌结构包括一第二导线以及一插塞，插塞位于第一导线与第二导线之间且连接第一及第二导线，其中第二导线包括一第一部分直接位于插塞之上且与插塞连接，以及一第二部分其下方不具有插塞。该第二部分具有一第二宽度，其小于第一部分的第一宽度。本发明所述的集成电路的内连线结构，可减少阻容延迟、减少于内连线之间的漏电流，以及消耗较少的电力。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 连线 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的内连线结构，其特征在于，该集成电路的内连线结构包括：一第一介电层；一第一导线，设于该第一介电层内；一第二介电层，设于该第一介电层与该第一导线之上；以及一双镶嵌结构，设于该第二介电层内，其中该双镶嵌结构包括：一第二导线；以及一插塞，位于该第一导线与第二导线之间且连接该第一导线与第二导线，其中该第二导线包含一第一部分，直接位于该插塞之上且与该插塞连接，以及一第二部分，其下方不具有该插塞；其中该第二部分的第二宽度小于该第一部分的第一宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710103713.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：医学监测方法和系统
- 下一篇：采用旋流片支撑的矩形管束换热器及其强化传热方法
