[发明专利]集成电路的内连线结构有效

专利信息
申请号: 200710103713.0 申请日: 2007-05-16
公开(公告)号: CN101083248A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 余振华;叶名世 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 连线 结构
【权利要求书】:

1.一种集成电路的内连线结构,其特征在于,该集成电路的内连线结构包括:

一第一介电层;

一第一导线,设于该第一介电层内;

一第二介电层,设于该第一介电层与该第一导线之上;以及

一双镶嵌结构,设于该第二介电层内,其中该双镶嵌结构包括:

一第二导线;以及

一插塞,位于该第一导线与第二导线之间且连接该第一导线与第二导线,其中该第二导线包含一第一部分,直接位于该插塞之上且与该插塞连接,以及一第二部分,其下方不具有该插塞;

其中该第二部分的第二宽度小于该第一部分的第一宽度,且该第一宽度小于该插塞的宽度。

2.根据权利要求1所述的集成电路的内连线结构,其特征在于,该第二宽度为该第一宽度的65%至95%之间。

3.根据权利要求1所述的集成电路的内连线结构,其特征在于,该第一宽度与该第二宽度至少其中之一与该插塞的宽度的比值为0.65至0.95之间。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路的内连线结构,其特征在于,第一导线及/或第二导线的厚度不小于该插塞的高度。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路的内连线结构,其特征在于,更包括一第三导线位于与该第二导线相同的金属化层中,其中该第二导线与该第三导线相互平行且具有一线距,以及其中该第二宽度小于该线距。

6.根据权利要求5所述的集成电路的内连线结构,其特征在于,该第二宽度为该线距的70%至95%之间。

7.根据权利要求5所述的集成电路的内连线结构,其特征在于,该第一导线的宽度为该线距的70%至95%之间。

8.一种集成电路的内连线结构,其特征在于,包括:

一第一金属线,位于一金属化层中,其中该第一金属线具有一部分,其下方无插塞且该部分具有一宽度;

一第一插塞,位于该第一金属线之下且连接该第一金属线,其中该第一插塞在该第一金属线的宽度方向具有一第一尺寸;

一第二插塞,于该第一金属线之上且连接该第一金属线,其中该第二插塞在该第一金属线的宽度方向具有一第二尺寸,其中该第一金属线的宽度小于该第一尺寸与该第二尺寸;以及

一第二金属线,位于该第二插塞之上且连接该第二插塞,其中该第二金属线包含一第一部分,直接位于该第二插塞之上且与该第二插塞连接,以及一第二部分,其下方不具有该第二插塞,且该第一部分的宽度小于该第二插塞的宽度。

9.根据权利要求8所述的集成电路的内连线结构,其特征在于,该第一金属线的宽度为该第一尺寸或该第二尺寸的65%至95%之间。

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