[发明专利]半导体存储器件

摘要

在“1”数据被存储到存储单元MC内的情况下，如读出工作完成，则位线BL被驱动至“H”电平(控制线驱动电位VBL)，位线/BL被驱动至“L”电平(基准电位)。如校验写工作开始，则充电线CL从“H”电平(电源电位VDD)被驱动至“L”电平(基准电位)。在暂时释放了空穴后的存储节点SN上，借助于来自源极线SL的GIDL电流，开始空穴的再积累，存储节点SN的电位向“H”电平上升(期间α)。如充电线CL从“L”电平被驱动至“H”电平，则存储节点SN的电位进一步上升(期间β)。

主权项

1.一种半导体存储器件，其中，具备：多个存储单元，被配置成矩阵状；位线，与配置有上述多个存储单元的各列对应地设置；读出放大电路，与由上述位线构成的位线对的各对对应地设置；以及控制电路，上述各存储单元包括：存储晶体管，具有用于积累与数据对应的电荷量的存储节点；以及存取晶体管，与上述存储晶体管串联连接，而且，上述各存储单元被构成为连接在对应的上述位线与源极线之间，根据积累于上述存储节点的电荷量，改变流过该位线的电流值，上述读出放大电路在根据从上述存储单元流到对应的上述位线的电流值而读出该存储单元的数据后，将与读出数据对应的电压值提供给该位线对，上述控制电路进行控制，使得在读出对象的上述存储单元的上述存储晶体管被激活的状态下，由与该存储单元对应的上述读出放大电路进行读出工作，接着，使得进行该读出数据对该存储单元的再写入。