[发明专利]半导体元件的形成方法有效
| 申请号： | 200710101185.5 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101093804A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 聂俊峰;陈建豪;顾克强;李资良;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的形成方法。此方法包括提供半导体基板，形成栅极介电层于半导体基板上，形成栅极于栅极介电层之上，形成应力源于邻近栅极边缘的半导体基板中，且在形成应力源程序后布植杂质。此杂质较佳选自下列组成的组：IV族元素、惰性元素、氟、氮及上述的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的形成方法，包括提供半导体基板；形成栅极介电层于该半导体基板之上；形成栅极于该栅极介电层之上；形成应力源于邻近该栅极边缘的半导体基板中，以及在形成该应力源后布植杂质，其中该杂质选自下列组成的组：IV族元素、惰性元素、氟、氮及上述的组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
