[发明专利]共源共栅放大电路、放大器、和共源共栅放大电路的方法有效
| 申请号： | 200710101068.9 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101068106A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 郑武京;金在辉;孔培瑄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/16 | 分类号： | H03F3/16;G05F3/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种稳压共源共栅放大电路，包括：第一PMOS FET和第二PMOS FET，其串联连接在接收第一供电电压的第一端和输出端之间；第一NMOS FET和第二NMOS FET，其串联连接在输出端和接收第二供电电压的第二端之间；以及稳压电路。稳压电路基于第一PMOS FET的漏极的电压，将用于稳定在第一PMOS FET的漏极的电压的第一控制信号输出到第二PMOS FET的栅极，并基于第一NMOS FET的源极的电压，将用于稳定在第一NMOS FET的源极中电压变化的第二控制信号输出到第一NMOS FET的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 共源共栅 放大 电路 放大器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稳压共源共栅放大电路包括：第一PMOS FET和第二PMOS FET，串联连接在输出端和被配置为接收第一供电电压的第一端之间；第一NMOS FET和第二NMOS FET，串联连接在输出端和被配置为接收第二供电电压的第二端之间；以及稳压电路，其被配置为：基于第二PMOS FET的漏极的电压，将第一控制信号输出到第二PMOSFET的栅极，其中将第一控制信号配置为稳定在第一PMOS FET的漏极的电压；以及基于第一NMOS FET的源极的电压，将第二控制信号输出到第一NMOSFET的栅极，其中将第二控制信号配置为稳定在第一NMOS FET的源极的电压。
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