[发明专利]共源共栅放大电路、放大器、和共源共栅放大电路的方法

权利要求书

1.一种稳压共源共栅放大电路包括：

第一PMOS FET和第二PMOS FET，串联连接在输出端和被配置为接收第 一供电电压的第一端之间；

第一NMOS FET和第二NMOS FET，串联连接在输出端和被配置为接收第 二供电电压的第二端之间；以及

稳压电路，其被配置为：

基于第一PMOS FET的漏极的电压，将第一控制信号输出到第二PMOS  FET的栅极，其中将第一控制信号配置为稳定在第一PMOS FET的漏极的 电压；以及

基于第一NMOS FET的源极的电压，将第二控制信号输出到第一NMOS  FET的栅极，其中将第二控制信号配置为稳定在第一NMOS FET的源极的 电压。

2.如权利要求1所述的稳压共源共栅放大电路，其中将偏压输入到第一 PMOS FET的栅极和第二NMOS FET的栅极中的至少一个栅极。

3.如权利要求1所述的稳压共源共栅放大电路，其中将输入电压输入到 第二NMOS FET的栅极。

4.如权利要求1所述的稳压共源共栅放大电路，其中稳压电路包括：

第一电流源，其连接在第一端和第一节点之间；

第二电流源，其连接在第二端和第二节点之间；

第三PMOS FET，其连接在第一节点和第二PMOS FET的栅极之间；

第四PMOS FET，其连接在第一节点和第一NMOS FET的栅极之间，所述 第四PMOS FET具有连接到第一NMOS FET的源极的栅极；

第三NMOS FET，其连接在第二节点和第二PMOS FET的栅极之间，所述 第三NMOS FET具有连接到第一PMOS FET的漏极的栅极；以及

第四NMOS FET，其连接在第二节点和第一NMOS FET的栅极之间。

5.如权利要求4所述的稳压共源共栅放大电路，其中第三PMOS FET、 第四PMOS FET、第三NMOS FET、以及第四NMOS FET中的每个的阈值电压等 于或高于第一PMOS FET、第二PMOS FET、第一NMOS FET、以及第二NMOS FET 中的每个的阈值电压。

6.如权利要求5所述的稳压共源共栅放大电路，其中将偏压输入到第三 PMOS FET的栅极和第四NMOS FET的栅极。

7.一种稳压共源共栅放大电路，包括：

第一PMOS FET，其连接在第一节点和接收第一供电电压的第一端之间， 所述第一PMOS FET具有接收第一偏压的栅极；

第二PMOS FET，其连接在第一节点和输出节点之间；

第一NMOS FET，其连接在输出节点和第二节点之间；

第二NMOS FET，其连接在第二节点和接收第二供电电压的第二端之间， 所述第二NMOS FET具有接收输入信号的栅极；

第一电流源，其连接在第一端和第三节点之间；

第二电流源，其连接在第二端和第四节点之间；

第三PMOS FET，其连接在第三节点和第二PMOS FET的栅极之间，所述 第三PMOS FET具有接收第二偏压的栅极；

第四PMOS FET，其连接在第三节点和第一NMOS FET的栅极之间，所述 第四PMOS FET具有连接到第二节点的栅极；

第三NMOS FET，其连接在第四节点和第二PMOS FET的栅极之间，所述 第三NMOS FET具有连接到第一节点的栅极；以及

第四NMOS FET，其连接在第四节点和第一NMOS FET的栅极之间，所述 第四PMOS FET具有接收第二偏压的栅极。

8.如权利要求7所述的稳压共源共栅放大电路，其中第三PMOS FET、 第四PMOS FET、第三NMOS FET、以及第四NMOS FET中的每个的阈值电压等 于或高于第一PMOS FET、第二PMOS FET、第一NMOS FET、以及第二NMOS FET 中的每个的阈值电压。