[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200710100985.5 申请日: 2007-05-08
公开(公告)号: CN101068011A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 汤泽健;田垣昌利 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/522
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置,其目的在于降低配线、在宽度不同的部分的连接部分产生的应力。半导体装置包括:半导体芯片(10);宽度不同的第一、第二配线的连接部分(34);形成在与连接部分(34)重叠的位置的焊盘(40);形成在焊盘(40)上的凸块(44);位于连接部分(34)和焊盘(40)之间并被形成为覆盖连接部分(34)整体的缓冲层(50);以及分别形成在连接部分(34)和缓冲层(50)之间以及缓冲层(50)和焊盘(40)之间的无机绝缘层(60、62)。缓冲层(50)是由除去树脂以外的材料、且比无机绝缘层(60、62)柔软的材料形成的。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:半导体芯片;配线,其嵌入所述半导体芯片而成,具有宽度不同部分的连接部分;焊盘,其位于所述配线的上方,形成在与所述连接部分重叠的位置;凸块,其形成在所述焊盘上;缓冲层,其位于所述连接部分和所述焊盘之间,被形成为覆盖所述连接部分的整体;以及无机绝缘层,其分别形成在所述配线和所述缓冲层之间以及所述缓冲层和所述焊盘之间,所述缓冲层是由除去树脂以外的材料、且比所述无机绝缘层柔软的材料形成的。
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