[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200710100819.5 | 申请日： | 2007-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101136434A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;蔡庆威;王大维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路装置，其包括：半导体衬底；第一应力源，位于所述衬底内；以及应变沟道晶体管，位于所述第一应力源之上，其中所述应变沟道晶体管包括应变沟道区与位于所述应变沟道区两侧的第二应力源，且所述第二应力源与第一应力源接触，所述应变沟道区包括允许载流子通过的应变沟道部分。通过沟道区内的应力源与置于沟道区两侧的应力源增加沟道区的应力，因此提升晶体管的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，包括：半导体衬底；第一应力源，位于所述衬底内；以及应变沟道晶体管，位于所述第一应力源之上，其中所述应变沟道晶体管包括应变沟道区与位于所述应变沟道区两侧的第二应力源，且所述第二应力源与第一应力源接触，所述应变沟道区包括允许载流子通过的应变沟道部分。
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