[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，包括：

半导体衬底；

第一应力源，位于所述衬底内；以及

应变沟道晶体管，位于所述第一应力源之上，其中所述应变沟道晶体管包括应变沟道区与位于所述应变沟道区两侧的第二应力源，且所述第二应力源与第一应力源接触，所述应变沟道区包括允许载流子通过的应变沟道部分。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中所述第一应力源具有第一晶格常数、所述应变沟道部分具有第二晶格常数，且所述第二应力源具有第三晶格常数，所述第一、第二与第三晶格常数彼此相异。

3.如权利要求2所述的半导体集成电路装置，其中所述第一晶格常数大于所述第二晶格常数，且所述第二晶格常数大于所述第三晶格常数。

4.如权利要求3所述的半导体集成电路装置，其中所述应变沟道部分包括硅、所述第一应力源包括锗、所述第二应力源包括碳。

5.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中位于所述应变沟道区两侧的所述第二应力源提供张应力至所述应变沟道部分。

6.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中所述第一应力源提供张应力至所述应变沟道部分。

7.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中所述应变沟道晶体管包括位于所述半导体衬底内的源极与漏极区，且位于所述应变沟道区两侧的所述第二应力源分别与所述源极与漏极区重叠。

8.如权利要求7所述的半导体集成电路装置，其中所述源极与漏极区完全包含所述第二应力源。

9.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中所述应变沟道部分位于所述第一应力源之上，且延伸至位于所述应变沟道区两侧的所述第二应力源并与其接触。

10.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中所述应变沟道部分包括Si_1-xC_x或Si/Si_1-xC_x。

11.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中所述第二应力源比所述第一应力源更深入所述衬底。

12.一种半导体集成电路装置，包括：

半导体衬底；

第一应力源，位于所述衬底内；以及

第一应变沟道晶体管，位于所述第一应力源之上，其中所述第一应变沟道晶体管包括第一应变沟道区与位于所述第一应变沟道区两侧的第二应力源，且所述第二应力源与第一应力源接触，所述第一应变沟道区包括允许载流子通过的第一应变沟道部分；以及

第二应变沟道晶体管，位于所述半导体衬底中，其中所述第二应变沟道晶体管包括第二应变沟道区与位于所述第二应变沟道区两侧的第三应力源，其中所述第三应力源的晶格常数大于硅。

13.如权利要求12所述的半导体集成电路装置，其中所述第一与第二应变沟道晶体管分别为n型沟道与p型沟道晶体管。

14.如权利要求12所述的半导体集成电路装置，其中所述第一应力源具有第一晶格常数、所述第一应变沟道部分具有第二晶格常数，且所述第二应力源具有第三晶格常数，所述第一、第二与第三晶格常数彼此相异。

15.如权利要求12所述的半导体集成电路装置，其中所述第三应力源具有第四晶格常数，其不同于所述第二与第三晶格常数。