[发明专利]互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

一种互补式金属氧化物半导体晶体管，其包括基底、第一导电型金属氧化物半导体晶体管、第二导电型金属氧化物半导体晶体管、缓冲层、第一应力层以及第二应力层。其中，基底中具有一元件隔离结构，将基底定义出第一有源区与第二有源区。第一、第二导电型金属氧化物半导体晶体管分别配置于第一、第二有源区的基底上。而且，第一导电型金属氧化物半导体晶体管的第一氮化物间隙壁的厚度大于第二导电型金属氧化物半导体晶体管的第二氮化物间隙壁的厚度。缓冲层顺应性地配置于第一导电型金属氧化物半导体晶体管上。第一应力层配置于缓冲层上。第二应力层顺应性地配置于第二导电型金属氧化物半导体晶体管上。

主权项

1. 一种互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：在基底中形成元件隔离结构，以于该基底中定义出第一有源区与第二有源区；在该第一有源区的该基底上形成第一导电型金属氧化物半导体晶体管，且同时在该第二有源区的该基底上形成第二导电型金属氧化物半导体晶体管，其中，该第一导电型金属氧化物半导体晶体管包括形成于该基底上的第一栅极结构、形成于该第一栅极结构两侧的该基底中的第一掺杂区，以及形成于该第一栅极结构侧壁且覆盖部分该第一掺杂区的第一氮化物间隙壁，该第二导电型金属氧化物半导体晶体管包括形成于该基底上的第二栅极结构、形成于该第二栅极结构两侧的该基底中的第二掺杂区，以及形成于该第二栅极结构侧壁且覆盖部分该第二掺杂区的第二氮化物间隙壁；于该基底上方顺应性地形成缓冲层，以覆盖住整个该基底；于该缓冲层上依序形成第一应力层与介电层；移除该第二有源区的该介电层、该第一应力层、该缓冲层以及至少部分该第二氮化硅间隙壁；于该基底上方顺应性地形成第二应力层，以覆盖住整个该基底；以及移除该第一有源区的该第二应力层。