[发明专利]互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

权利要求书

1. 一种互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：

在基底中形成元件隔离结构，以于该基底中定义出第一有源区与第二有源区；

在该第一有源区的该基底上形成第一导电型金属氧化物半导体晶体管，且同时在该第二有源区的该基底上形成第二导电型金属氧化物半导体晶体管，

其中，该第一导电型金属氧化物半导体晶体管包括形成于该基底上的第一栅极结构、形成于该第一栅极结构两侧的该基底中的第一掺杂区，以及形成于该第一栅极结构侧壁且覆盖部分该第一掺杂区的第一氮化物间隙壁，

该第二导电型金属氧化物半导体晶体管包括形成于该基底上的第二栅极结构、形成于该第二栅极结构两侧的该基底中的第二掺杂区，以及形成于该第二栅极结构侧壁且覆盖部分该第二掺杂区的第二氮化物间隙壁；

于该基底上方顺应性地形成缓冲层，以覆盖住整个该基底；

于该缓冲层上依序形成第一应力层与介电层；

移除该第二有源区的该介电层、该第一应力层、该缓冲层以及至少部分该第二氮化硅间隙壁；

于该基底上方顺应性地形成第二应力层，以覆盖住整个该基底；以及

移除该第一有源区的该第二应力层。

2. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中移除该第二有源区的该介电层、该第一应力层、该缓冲层以及至少部分该第二氮化物间隙壁的方法，包括进行蚀刻工艺。

3. 如权利要求2所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中该蚀刻工艺包括利用原位方式进行。

4. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中移除该第一有源区的该第二应力层的方法包括进行蚀刻工艺。

5. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中该第一导电型金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管，该第二导电型金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管，则该第一应力层为压缩应力层，该第二应力层为拉伸应力层。

6. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中该第一、该第二氮化物间隙壁的材料包括氮化硅。

7. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中该第一、该第二应力层的材料包括氮化硅或氧化硅。

8. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中该第一、该第二应力层的形成方法包括化学气相沉积法。

9. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中于该缓冲层形成之前，还包括于该第一导电型金属氧化物半导体晶体管的该第一栅极结构与该第一氮化物间隙壁之间形成第一衬层，以及于该第二导电型金属氧化物半导体晶体管的该第二栅极结构与该第二氮化物间隙壁之间形成第二衬层。

10. 如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中该第一、该第二衬层的材料包括氧化硅。

11. 如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其中于该缓冲层形成之前，还包括于该第一导电型金属氧化物半导体晶体管的该第一栅极结构表面与该第一掺杂区上形成第一金属硅化物层，以及于该第二导电型金属氧化物半导体晶体管的该第二栅极结构表面与该第二掺杂区上形成第二金属硅化物层。