[发明专利]用于沟槽隔离的本征吸杂的方法有效
| 申请号： | 200710094283.0 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447447A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈俭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于沟槽隔离的本征吸杂的方法，在硅片上定义出沟槽；然后用化学药液进行清洗，在所述沟槽内生长衬垫氧化层；在氮气、氩气或者氨气或者是它们的混合气体下快速热退火，并快速冷却，接着在所述氧化层上再缓慢生长一层第二氧化层；采用高密度等离子化学气相沉积的方法在所述沟槽内填充氧化物；对所填充的氧化物在高温下致密化；最后去除高出硅片表面的氧化物实现平坦化。本发明能够降低经历沟槽隔离工艺后的硅片的缺陷密度，同时兼容现有的半导体集成电路工艺方法，操作简便。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 隔离 征吸杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于沟槽隔离的本征吸杂的方法，包括如下步骤：首先在硅片上用化学反应离子刻蚀方法定义出沟槽；然后用化学药液进行清洗，其特征在于，在所述沟槽内生长衬垫氧化层；在氮气、氩气或者氨气或者是它们的混合气体下快速热退火，并快速冷却，接着在所述氧化层上再缓慢生长一层第二氧化层；采用高密度等离子化学气相沉积的方法在所述沟槽内填充氧化物；对所填充的氧化物在高温下致密化；最后采用化学机械抛光去除高出硅片表面的氧化物实现平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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