[发明专利]用于沟槽隔离的本征吸杂的方法

权利要求书

1.一种用于沟槽隔离的本征吸杂的方法，包括如下步骤：首先在硅片上用化学反应离子刻蚀方法定义出沟槽；然后用化学药液进行清洗，其特征在于，在所述沟槽内生长衬垫氧化层；在氮气、氩气或者氨气或者是它们的混合气体下快速热退火，并快速冷却，接着在所述氧化层上采用炉管生长，在小于900℃的温度下再缓慢生长一层第二氧化层；采用高密度等离子化学气相沉积的方法在所述沟槽内填充氧化物；对所填充的氧化物采用炉管退火，在大于900℃温度下致密化；最后采用化学机械抛光去除高出硅片表面的氧化物实现平坦化。

2.根据权利要求1所述的用于沟槽隔离的本征吸杂的方法，其特征在于，所示衬垫氧化层为热氧化层，生长温度大于700℃，厚度大于2纳米，小于10纳米。

3.根据权利要求1所述的用于沟槽隔离的本征吸杂的方法，其特征在于，所述快速热退火的退火温度大于1050℃，所述快速冷却的降温温度速度大于50℃/每秒。