[发明专利]浅沟槽制备方法无效
| 申请号： | 200710094190.8 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101425476A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽制备方法，包括：在衬底上生长衬垫氧化层，接着淀积硬掩膜层；刻胶涂布和曝光显影；硬掩膜层刻蚀及去除光刻胶；各向异性湿法腐蚀；干法刻蚀，在衬底上形成沟槽；腐蚀沟槽顶端边角的衬垫氧化层；在衬底的沟槽内热氧生长垫层氧化层；进行HDP氧化层填充；化学机械研磨和硬掩膜层去除。因为本发明在干法刻蚀步骤前增加了各向异性湿法腐蚀工艺，使得STI顶端边角的倾斜角变小，进而在之后的腐蚀沟槽顶端边角的衬垫氧化层过程中，使STI顶部抛光，最终得到一种新的圆滑的STI顶端边角形貌，从而改善或者克服器件栅极氧化层减薄效应和窄沟道效应并降低器件的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上生长衬垫氧化层，接着淀积硬掩膜层；(2)光刻胶涂布和曝光显影；(3)硬掩膜层刻蚀及去除光刻胶；(4)各向异性湿法腐蚀；(5)干法刻蚀，在衬底上形成沟槽；(6)腐蚀沟槽顶端边角的衬垫氧化层；(7)在沟槽内热氧生长垫层氧化层；(8)进行HDP氧化层填充；(9)化学机械研磨和硬掩膜层去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
