[发明专利]浅沟槽制备方法无效
| 申请号： | 200710094190.8 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101425476A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种浅沟槽制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在衬底上生长衬垫氧化层，接着淀积硬掩膜层；
(2)光刻胶涂布和曝光显影；
(3)硬掩膜层刻蚀及去除光刻胶；
(4)各向异性湿法腐蚀；
(5)干法刻蚀，在衬底上形成沟槽；
(6)腐蚀沟槽顶端边角的衬垫氧化层；
(7)在沟槽内热氧生长垫层氧化层；
(8)进行HDP氧化层填充；
(9)化学机械研磨和硬掩膜层去除。
2、如权利要求1所述的浅沟槽制备方法，其特征在于，步骤(4)所述的各向异性湿法腐蚀后，在所述沟槽的边缘及所述的硬掩膜层下形成45度的倾斜面。
3、如权利要求1所述的浅沟槽制备方法，其特征在于，步骤(7)所述的垫层氧化层的厚度范围为100埃到250埃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710094190.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：主动元件阵列基板制造方法及其结构
- 下一篇：形成影像传感器保护层的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
