[发明专利]存储器元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710087797.3 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101271862A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 俞笃豪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/28;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器元件。一柱形结构包括一第一电极层、一位于第一电极上的介电层及一位于介电层上的第二电极层。一相变化层包覆柱形结构的四周围。一下电极电性连接柱形结构的第一电极层。一上电极电性连接柱形结构的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种存储器元件的制造方法，包括：提供基底；形成第一层间介电层于该基底上方；形成下电极于该第一层间介电层中；形成第一电极层于该第一层间介电层和该下电极上；形成介电层于该第一电极层上；形成第二电极层于该介电层上；图形化该第一电极层、该介电层和该第二电极层，以形成柱形结构，其中该柱形结构对应于该存储器元件的存储单元；形成相变化层于该柱形结构和该基底上；图形化该相变化层，使该存储单元的图形化相变化层和邻近存储单元的图形化相变化层分隔；及形成上电极，电性连接该柱形结构的第二电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司，未经财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710087797.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于规则的全天候智能视频分析监控方法
- 下一篇：语音信号后处理滤波方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
