[发明专利]存储器元件及其制造方法

权利要求书

1. 一种存储器元件的制造方法，包括：

提供基底；

形成第一层间介电层于该基底上方；

形成下电极于该第一层间介电层中；

形成第一电极层于该第一层间介电层和该下电极上；

形成介电层于该第一电极层上；

形成第二电极层于该介电层上；

图形化该第一电极层、该介电层和该第二电极层，以形成柱形结构，其中该柱形结构对应于该存储器元件的存储单元；

形成相变化层于该柱形结构和该基底上；

图形化该相变化层，使该存储单元的图形化相变化层和邻近存储单元的图形化相变化层分隔；及

形成上电极，电性连接该柱形结构的第二电极层。

2. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该柱形结构具有环绕的周围。

3. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该相变化层直接接触该柱形结构的环绕周围。

4. 如权利要求3所述的存储器元件的制造方法，其中该相变化层直接接触该柱形结构的第一电极层的四周围。

5. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该柱形结构为圆柱形。

6. 如权利要求5所述的存储器元件的制造方法，其中该第一电极层和该相变化层的接触面为环状。

7. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该相变化层的厚度大体上大于500埃。

8. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该第一电极层的厚度比该第二电极层的厚度薄。

9. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该第一电极层的厚度大体上为5埃～500埃。

10. 如权利要求9所述的存储器元件的制造方法，其中该第一电极层的厚度大体上为100埃～300埃。

11. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该第一电极层为TiN、TiW或TiAlN所组成。

12. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该第二电极层为TiN、TiW、TiAl、TaN或TiAlN所组成。

13. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该相变化层包括Ag、In、Te、Sb或其组合，和Ge、Te、Sb或其组合。

14. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该介电层为氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅所组成。

15. 如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中该下电极和该上电极为Al、Cu或W所组成。

16. 一种存储器元件，包括：

柱形结构，包括第一电极层、位于该第一电极上的介电层，及位于该介电层上的第二电极层；

相变化层，包覆该柱形结构的四周围；

下电极，电性连接该柱形结构的第一电极层；及

上电极，电性连接该柱形结构的第二电极层。

17. 如权利要求16所述的存储器元件，其中该柱形结构具有环绕的周围。

18. 如权利要求17所述的存储器元件，其中该相变化层直接接触该柱形结构的环绕周围。

19. 如权利要求16所述的存储器元件，其中该相变化层直接接触该柱形结构的第一电极层的四周围。

20. 如权利要求16所述的存储器元件，其中该柱形结构为圆柱形。

21. 如权利要求20所述的存储器元件，其中该第一电极层和该相变化层的接触面为环状。

22. 如权利要求16所述的存储器元件，其中该相变化层的厚度大体上大于500埃。

23. 如权利要求16所述的存储器元件，其中该第一电极层的厚度比该第二电极层的厚度薄。

24. 如权利要求16所述的存储器元件，其中该第一电极层的厚度大体上为5埃～500埃。

25. 如权利要求24所述的存储器元件，其中该第二电极层的厚度大体上为100埃～3000埃。