[发明专利]复合开口的形成方法及应用该方法的双重金属镶嵌工艺

摘要

一种双重金属镶嵌工艺。在基底上形成介电层，并在介电层中形成通路开口，裸露出基底上的衬层。接着，在通路开口中填入沟填层并在基底上形成阻抗层。之后，进行光刻与蚀刻工艺，以在介电层中形成沟槽，并使得留下的沟填层呈拱顶状，其中在进行蚀刻工艺时，沟填材料层的蚀刻速率大于阻抗层的蚀刻速率。其后，去除沟填层、阻抗层与通路开口所裸露的衬层，再于沟槽与通路开口中形成导电层，本发明中主要利用蚀刻速率差异的控制以在形成复合式开口时避免产生遮蔽效应。

主权项

1. 一种双重金属镶嵌工艺，包括：提供基底，该基底上具有导电区且该导电区已被衬层覆盖；在该基底上形成介电层；在该介电层中形成通路开口，对准该导电区并裸露出该衬层；在该通路开口中填入沟填层；在该基底上形成阻抗层，覆盖该介电层与该沟填层；进行光刻与蚀刻工艺，以在该介电层中形成沟槽，并使留下的该沟填层呈拱顶状，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层的蚀刻速率大于该阻抗层的蚀刻速率；去除该沟填层、该阻抗层与该通路开口所裸露的该衬层；以及在该沟槽与该通路开口中形成导电层。