[发明专利]复合开口的形成方法及应用该方法的双重金属镶嵌工艺

权利要求书

1. 一种双重金属镶嵌工艺，包括：

提供基底，该基底上具有导电区且该导电区已被衬层覆盖；

在该基底上形成介电层；

在该介电层中形成通路开口，对准该导电区并裸露出该衬层；

在该通路开口中填入沟填层；

在该基底上形成阻抗层，覆盖该介电层与该沟填层；

进行光刻与蚀刻工艺，以在该介电层中形成沟槽，并使留下的该沟填层呈拱顶状，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层的蚀刻速率大于该阻抗层的蚀刻速率；

去除该沟填层、该阻抗层与该通路开口所裸露的该衬层；以及

在该沟槽与该通路开口中形成导电层。

2. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层/该阻抗层的蚀刻选择比为3至1.1。

3. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层的蚀刻速率大于该介电层的蚀刻速率。

4. 如权利要求3所述的双重金属镶嵌工艺，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层/该介电层的蚀刻选择比为1.2至2。

5. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，其中该阻抗层的蚀刻速率大于该介电层的蚀刻速率。

6. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，其中在进行该蚀刻工艺时的蚀刻气体不含氧气。

7. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，其中在进行该蚀刻工艺时所使用的气体包括氟烃。

8. 如权利要求7所述的双重金属镶嵌工艺，其中在进行该蚀刻工艺时所使用的气体还包括载气。

9. 如权利要求8所述的双重金属镶嵌工艺，其中在进行该蚀刻工艺时所使用的气体还包括调整气体。

10. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，其中该介电层的材质包括低介电常数材料。

11. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，更包括在形成该通路开口之前，在该介电层上形成顶盖层。

12. 如权利要求1所述的双重金属镶嵌工艺，其中该沟填材料包括无抗反射特性的聚合物。

13. 一种复合开口的形成方法，包括

在基底上形成材料层；

在该材料层中形成窄开口；

在该窄开口中形成沟填层；

在该基底上形成阻抗层，覆盖该材料层与该沟填层；

进行光刻与蚀刻工艺，以在该材料层中形成与该窄开口连通的宽开口，并留下的该沟填层呈拱顶状，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层的蚀刻速率大于该阻抗层的蚀刻速率；以及

去除该沟填层与该阻抗层，裸露出该宽开口与该窄开口，以形成该复合开口。

14. 如权利要求13所述的复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层/该阻抗层的蚀刻选择比为3至1.1。

15. 如权利要求13所述的复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层的蚀刻速率大于该材料层的蚀刻速率。

16. 如权利要求15所述的复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻工艺时，该沟填层/该材料层的蚀刻选择比为1.2至2。

17. 如权利要求13所述的复合开口的形成方法，其中该阻抗层的蚀刻速率大于该材料层的蚀刻速率。

18. 如权利要求13所述的复合开口的形成方法，其中该沟填层的材质包括无抗反射特性的聚合物。

19. 如权利要求13所述的复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻工艺时所使用的气体包括氟烃。

20. 如权利要求19所述的复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻工艺时所使用的气体还包括载气。

21. 如权利要求20所述的复合开口的形成方法，其中在进行该蚀刻工艺时所使用的气体还包括调整气体。