[发明专利]封装导电结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710084092.6 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101246864A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 黄成棠 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于半导体基材的封装导电结构及其形成方法，封装导电结构的介电层局部覆盖半导体基材的金属层，并界定出一容置空间，容置空间内形成一垫高层及一导电层，导电层延伸连接凸块，而垫高层部分连接于介电层，使导电层在介电层边缘的沉积较为稳定，进而提高封装导电结构的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 导电 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于半导体基材的封装导电结构，该半导体基材上包含一金属层，该封装导电结构包含：一介电层，形成于该半导体基材上，该介电层局部覆盖该金属层，以界定出一容置空间；一垫高层，形成于该容置空间内，且部分连接于该介电层；以及一导电层，具有一中央区域及一周缘区域；其特征在于该中央区域形成于该容置空间内，与该金属层呈电性连接，该周缘区域至少局部覆盖该介电层的一边缘。
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