[发明专利]封装导电结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于半导体基材的封装导电结构，该半导体基材上包含一金属层，该封装导电结构包含：

一介电层，形成于该半导体基材上，该介电层局部覆盖该金属层，以界定出一容置空间；

一垫高层，形成于该容置空间内，其中该垫高层以二相对端部部分连接于该介电层，且该垫高层的二相对侧面与该介电层间隔；以及

一导电层，具有一中央区域及一周缘区域；其特征在于该中央区域形成于该容置空间内，与该金属层呈电性连接，该周缘区域至少局部覆盖该介电层的一边缘。

2.如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块，至少与该导电层的中央区域电性相连。

3.如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块及一保护层，覆盖于该导电层的周缘区域上，该保护层中界定一凸块容置空间；其中该凸块通过该凸块容置空间与该导电层电性连接。

4.如权利要求3所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块下金属层形成于该凸块与该导电层之间。

5.如权利要求4所述的封装导电结构，其特征在于该凸块下金属层是由钛/钨合金所制成。

6.如权利要求4所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块导电层，形成于该凸块与该凸块下金属层之间。

7.如权利要求6所述的封装导电结构，其特征在于该凸块导电层是由金所制成。

8.如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该垫高层是由聚酰亚胺或氧化物所制成。

9.如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该金属层是由铝制成。

10.如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该容置空间具有一第一纵向尺寸，该垫高层具有一第二纵向尺寸，该第二纵向尺寸至少为该第一纵向尺寸的一半。

11.如权利要求10所述的封装导电结构，其特征在于该第一纵向尺寸与该第二纵向尺寸相等。

12.一种于一半导体基材上形成封装导电结构的方法，该半导体基材包含一金属层，该方法包含下列步骤：

(a)形成一介电层于该半导体基材上，局部覆盖该金属层，以界定一容置空间；

(b)于该容置空间内形成一垫高层，以覆盖部分该金属层，其中该垫高层以二相对端部部分连接于该介电层，且该垫高层的二相对侧面与该介电层间隔；以及

(c)形成一导电层于该容置空间内，以使该导电层适可通过该容置空间，与该金属层呈电性连接。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于该步骤(a)包含：

形成一光阻层；以及

进行一蚀刻工序。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于该步骤(b)包含：

进行一曝光工序，以于该金属层上局部形成该垫高层；以及

针对该垫高层进行一加热工序，使该垫高层固化。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于还包含进行一等离子体处理工序，以去除该容置空间内的残渣。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于还包含：

形成一保护层，覆盖于该导电层上。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于还包含下列步骤：

于该保护层上形成一凸块容置空间，以暴露部分该导电层；以及

于该凸块容置空间内形成一凸块，以使该凸块适可通过该凸块容置空间与该导电层电性连接。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于形成该凸块步骤实施前，还包含：

于该凸块容置空间中形成一凸块下金属层，以使该凸块适可通过该凸块下金属层与该导电层电性连接。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于该凸块下金属层是由钛/钨合金所制成。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于形成该凸块下金属层的步骤之后，还包含形成一凸块导电层于该凸块下金属层上，以使该凸块适可通过该凸块导电层与该凸块下金属层与该导电层电性连接。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于该凸块导电层是由金制成。