[发明专利]高亮度发光二极管无效
| 申请号： | 200710074802.7 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101315959A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 朱源发 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高亮度发光二极管，其包括：一基底，一第一电极、一半导体发光结构、一第二电极、以及第三电极、粘着材料层及第四电极。所述第一电极位于所述基底的一第一侧；一所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧；所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧；所述第三电极、粘着材料层及第四电极位于所述基底与所述半导体发光结构之间，所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间，所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置。该高亮度发光二极管在制作过程中采用粘着材料层贴合晶片，避免了长时间高温处理对发光二极管磊晶结构造成的不良影响，其制程良率较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管，其包括：一基底，一第一电极、一半导体发光结构、及一第二电极；所述第一电极位于所述基底的一第一侧；所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧；所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧；其特征在于，该高亮度发光二极管还包括：位于所述基底与所述半导体发光结构之间的第三电极、粘着材料层及第四电极，所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置，所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间。
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