[发明专利]高亮度发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，尤其是一种制作方法简单、制程良率较佳的高亮度发光二极管。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)作为一种半导体光源，由于其具有寿命长、功耗低、稳定性强等特点被广泛应用于各种产品，如科学仪器、医疗仪器及消费性产品等。发光二极管中往往不可避免地存在电阻较高的材料，这使得由电极注入的电流不易在发光二极管元件中有效地扩散，导致电流拥塞(Current Crowding)现象的发生，造成仅在靠近电极的四周产生亮光，发光二极管发光效率不佳。

参见图1，美国第5,869,849号专利中的发光二极管结构由如下方法制成。首先在n型砷化镓基底上成长一磷化铝镓铟双异质磊晶层500，该双异质磊晶层依次包括一n型磷化铝镓铟束缚层550，一磷化铝镓铟活性层540，及一p型磷化铝镓铟束缚层530。然后以晶片贴合的技术将上述磷化铝镓铟双异质磊晶层500移植到一n型磷化镓基底560并除去原吸光的砷化镓基底。接着再在P型磷化铝镓铟束缚层530上成长一层p型砷化镓欧姆接触层520，紧接着在其上方镀上一层氧化铟锡(ITO)电流分散层590，最后在n型磷化镓基底560与氧化铟锡电流分散层590上分别制作第一电极570与第二电极580。该技术方案之特征在于以晶片贴合方式将吸光的砷化镓基底置换成可透光的磷化镓基底，且通过一层氧化铟锡电流分散层来扩散电流，其制作方法简单且效果较佳。但是该方案所需采用的晶片贴合方法为两片晶片不藉由外物而直接加压紧密贴合，且需长时间处于高温650度达30分钟，不但会对发光二极管磊晶层结构造成不良的影响，而且其制程良率不佳。

发明内容

有鉴于此，提供一种制作过程中无需长时间高温处理、制程良率较佳的高亮度发光二极管实为必要。

下面将以实施例说明一种制作过程中无需长时间高温处理、制程良率较佳的高亮度发光二极管。

一种高亮度发光二极管，其包括：一基底，一第一电极、一半导体发光结构、一第二电极、以及第三电极、粘着材料层及第四电极。所述第一电极位于所述基底的一第一侧；一所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧；所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧；所述第三电极、粘着材料层及第四电极位于所述基底与所述半导体发光结构之间，所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间，所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置。

相对于现有技术，所述高亮度发光二极管在制作过程中采用粘着材料层贴合晶片，避免了长时间高温处理对发光二极管磊晶结构造成的不良影响，其制程良率较佳。

附图说明

图1是现有的一种发光二极管的截面示意图。

图2是本发明第一实施例中一半导体发光结构形成于一半导体基底上而形成的磊晶结构的截面示意图。

图3是在如图2所示的磊晶结构上形成多个欧姆电极所形成的结构的截面示意图。

图4是在如图3所示的结构上依次形成一金属反射层及一粘着材料层所形成的结构的截面示意图。

图5是本发明第一实施例中在一负载基底上形成一欧姆电极及一粘着材料层所形成结构的截面示意图。

图6是将如图4所示的结构贴合至如图5所示的结构并除去图4结构中原有基底所形成的结构的截面示意图。

图7是在如图6所示结构上形成一层透光导电层所形成的结构的截面示意图。

图8是本发明第一实施例中发光二极管的截面示意图。

图9是本发明第二实施例中发光二极管的截面示意图。

图10是本发明第二实施例中发光二极管的俯视图。

图11是本发明第三实施例中发光二极管的俯视图。

图12是本发明第四实施例中发光二极管的截面示意图。

图13是本发明第五实施例中在半导体发光磊晶结构上形成布拉格反射镜结构及欧姆电极所形成的结构的截面示意图。

图14是本发明第五实施例中发光二极管的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。