[发明专利]高亮度发光二极管

权利要求书

1.一种高亮度发光二极管，其包括：一基底，一第一电极、一半导体发光结构、及一第二电极；所述第一电极位于所述基底的一第一侧；所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧；所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧；其特征在于，该高亮度发光二极管还包括：位于所述基底与所述半导体发光结构之间的第三电极、粘着材料层及第四电极，所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置，所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间。

2.如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述半导体发光结构包括：一第一半导体层、一与所述第一半导体层电性相反的第三半导体层、及位于所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的第二半导体层，所述第三半导体层邻近所述第二电极设置。

3.如权利要求2所述的高亮度发光二极管，其特征在于，还包括一透光导电层，所述透光导电层位于所述第三半导体层与所述第二电极之间。

4.如权利要求3所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述的第三半导体层为n型半导体层且与所述透光导电层形成欧姆接触。

5.如权利要求3所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述透光导电层为一氧化锡、铟掺杂一氧化锡、锑掺杂二氧化锡、锌掺杂三氧化二铟、锡掺杂银铟氧化物、氧化铟锡、一氧化锌、铝掺杂氧化锌、锌镓氧化物、锡掺杂三氧化二镓之一。

6.如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述的粘着材料层为银、金、锡、锡化金、锡化铅、铟、钯化铟、氧化铟锡之一。

7.如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于，还包括一金属反射层，所述金属反射层位于所述粘着材料层与所述半导体发光结构之间且与所述第四电极相邻设置。

8.如权利要求7所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述第四电极包括多个点状电极，所述金属反射层覆盖所述多个点状电极。

9.如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于，还包括一布拉格反射结构层，所述布拉格反射结构层位于所述粘着材料层与所述半导体发光结构之间且与所述第四电极相邻设置。

10.如权利要求9所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述第四电极包括多个点状电极，所述布拉格反射结构层与该多个点状电极间隔排布。

11.如权利要求3所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述透光导电层中设置有孔洞，所述第二电极穿过该孔洞并与所述第三半导体层接触。

12.如权利要求11所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述第二电极包括一中心部及多个从该中心部向外延伸的触角。

13.如权利要求1至12任意一项所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述基底为硅基底，碳化硅基底，或III-V族化合物半导体基底。

14.如权利要求1至12任意一项所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述基底为陶瓷基底，且该陶瓷基底上设置有多个通孔，且通孔内填充有导电物质。