[发明专利]一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法有效
| 申请号： | 200710046237.3 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101172185A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李刚;周洪波;孙晓娜;姚源;赵建龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05;A61B5/04;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离(Lift－off)、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，并通过腐蚀牺牲层去除硅基片，实现电极反转；最后通过剥离、聚合物图形化来制作背面电极，并以凹槽结构定义双面电极的轮廓，实现双面电极结构。本发明提供的基于聚合物基底的双面电极制备方法具有与微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特点，所制作的植入式双面柔性电极可以在同样损伤的情况下，提供比单面电极高一倍的刺激或记录分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 植入 双面 柔性 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅基片上制作牺牲层结构；2)在牺牲层上制作一层聚合物绝缘层；3)在聚合物绝缘层上通过甩涂光刻胶、光刻、溅射和剥离工艺制作金属层、聚合物图形化制作正面电极；4)在玻璃基片上制作聚合物键合层；5)将硅基片电极面与玻璃基片聚合物面键合；6)腐蚀牺牲层，实现电极面反转；7)在聚合物绝缘层的反面制作反面电极；8)通过光刻形成的聚合物凹槽结构释放双面电极。
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