[发明专利]一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法

权利要求书

1.一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅基片上制作牺牲层结构；2)在牺牲层上制作一层聚合物绝缘层；3)在聚合物绝缘层上通过甩涂光刻胶、光刻、溅射和剥离工艺制作金属层、聚合物图形化制作正面电极；4)在玻璃基片上制作聚合物键合层；5)将硅基片电极面与玻璃基片聚合物面键合；6)腐蚀牺牲层，实现电极面反转；7)在聚合物绝缘层的反面制作反面电极；8)通过光刻形成的聚合物凹槽结构释放双面电极。

2.按权利要求1所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于硅基片上牺牲层是通过氧化硅片形成二氧化硅膜，然后再在其上蒸发铝膜或溅射铬或钛膜形成的，其厚度为10nm-2μm。

3.按权利要求1所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于所述的聚合物绝缘层为聚酰亚胺或聚对二甲苯，其厚度为100nm-100μm。

4.按权利要求1或4所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于所述的聚合物绝缘层是通过旋涂或沉积方法制备的。

5.按权利要求1所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于玻璃基片上制作的图形化聚合物层的厚度在100nm-100μm之间。

6.按权利要求1所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于硅基片电极面与玻璃基片聚合物面是通过热压方法键合的；热压时施加压强为104-105Pa，温度为340-360℃时间为0.5-1.5小时。

7.按权利要求1所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于所述的电极反转是通过酸腐蚀或电化学腐蚀去除牺牲层实现的。

8.按权利要求1所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于所述的通过光刻制作凹槽结构定义电极轮廓，沿凹槽撕裂释放双面电极。

9.按权利要求1或8所述的植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，其特征在于所述的凹槽宽度在2μm～100μm之间。